[發(fā)明專利]一種檢測晶圓斷裂的方法、切割裝置以及切割設(shè)備

在審

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• 申請日: 2022-06-21
• 公開（公告）號: CN115188684A
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳世隱;肖國兵;周福海;余俊華;關(guān)文武;趙思;唐先俊;詹喜錄;尹建剛;高云峰
• 申請（專利權(quán)）人: 大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團股份有限公司;深圳市大族微加工軟件技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/304;H01L21/67;H01L21/78;B28D5/04;B28D7/00;G01N21/88
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種檢測晶圓斷裂的方法，其特征在于，包括：

獲取切割軌跡；

選取晶圓上位于切割軌跡兩側(cè)參照質(zhì)點作為對比基準(zhǔn)；

獲取晶圓沿切割軌跡被切斷臨界時的對比基準(zhǔn)間的距離X；

獲取晶圓沿切割軌跡被切割后的對比基準(zhǔn)間的距離Ln；

判斷晶圓是否斷裂；

若Ln大于或等于X，則斷裂；以及

若Ln小于X，則未斷裂。

2.如權(quán)利要求1所述的檢測晶圓斷裂的方法，其特征在于，若Ln小于X，所述檢測晶圓斷裂的方法還包括：

增加切割進給量，沿對應(yīng)切割軌跡再次切割晶圓；以及

獲取晶圓沿對應(yīng)切割軌跡被切割后的對比基準(zhǔn)間的距離Ln+1；

其中，通過將Ln+1與X進行對比以繼續(xù)判斷晶圓是否斷裂，n為大于0的整數(shù)。

3.如權(quán)利要求1所述的檢測晶圓斷裂的方法，其特征在于，若Ln大于或等于X，所述檢測晶圓斷裂的方法還包括：

獲取晶圓沿下一切割軌跡被切割后的對比基準(zhǔn)間的距離Ln；

其中，通過將Ln與X進行對比以判斷晶圓對應(yīng)切割處是否斷裂。

4.如權(quán)利要求1所述的檢測晶圓斷裂的方法，其特征在于，所述“獲取晶圓沿切割軌跡被切斷臨界時的對比基準(zhǔn)間的距離X”包括：

采用手動切割方式沿切割軌跡切斷晶圓。

5.如權(quán)利要求1所述的檢測晶圓斷裂的方法，其特征在于，所述“獲取晶圓沿切割軌跡被切割后的對比基準(zhǔn)間的距離Ln”包括：

采用自動切割方式沿切割軌跡切割晶圓。

6.如權(quán)利要求1所述的檢測晶圓斷裂的方法，其特征在于，所述檢測晶圓斷裂的方法還包括：

在晶圓上設(shè)置特征區(qū)；

所述“選取晶圓上位于切割軌跡兩側(cè)參照質(zhì)點作為對比基準(zhǔn)”包括：

選取晶圓上位于切割軌跡兩側(cè)的特征區(qū)作為對比基準(zhǔn)。

7.如權(quán)利要求6所述的檢測晶圓斷裂的方法，其特征在于，所述“獲取切割軌跡”包括：

獲取沿第一方向平行且等間距設(shè)置于晶圓上的多條第一切割線以及沿第二方向平行且等間距設(shè)置于晶圓上的多條第二切割線；

其中，所述第一方向和所述第二方向之間具有夾角，所述多條第一切割線與所述多條第二切割線配合將晶圓劃分出多個呈陣列排布的晶元，每個所述晶元上分別設(shè)置相同的特征區(qū)，多個所述晶元上的特征區(qū)呈陣列排布。

8.如權(quán)利要求1所述的檢測晶圓斷裂的方法，其特征在于，所述檢測晶圓斷裂的方法還包括：

根據(jù)對比基準(zhǔn)建立對應(yīng)匹配的模板；

所述“獲取晶圓沿切割軌跡被切斷臨界時的對比基準(zhǔn)間的距離X”包括：

根據(jù)模板獲取晶圓沿切割軌跡被切斷臨界時的對比基準(zhǔn)間的距離X；

所述“獲取晶圓沿切割軌跡被切割后的對比基準(zhǔn)間的距離Ln”包括：

根據(jù)模板獲取晶圓沿切割軌跡被切割后的對比基準(zhǔn)間的距離Ln。

9.如權(quán)利要求8所述的檢測晶圓斷裂的方法，其特征在于，所述“根據(jù)模板獲取晶圓沿切割軌跡被切斷臨界時的對比基準(zhǔn)間的距離X”包括：

獲取晶圓沿切割軌跡被切斷臨界時的圖像；以及

根據(jù)模板與圖像對比，獲取晶圓沿切割軌跡被切斷臨界時的對比基準(zhǔn)間的距離X；

所述“根據(jù)模板獲取晶圓沿切割軌跡被切割后的對比基準(zhǔn)間的距離Ln”包括：

獲取晶圓沿切割軌跡被切割后的圖像；以及

根據(jù)模板與圖像對比，獲取晶圓沿切割軌跡被切割后的對比基準(zhǔn)間的距離Ln。