[發明專利]具備抗靜電的AR薄膜、顯示組件及顯示設備在審
| 申請號： | 202210698797.1 | 申請日： | 2022-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN115166877A | 公開（公告）日： | 2022-10-11 |
| 發明（設計）人： | 嚴俊;汪金銘;于佩強;胡業新;劉世琴 | 申請（專利權）人： | 江蘇日久光電股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B1/16 | 分類號： | G02B1/16 |
| 代理公司： | 蘇州三英知識產權代理有限公司 32412 | 代理人： | 朱如松 |
| 地址： | 215000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具備 抗靜電 ar 薄膜 顯示 組件 設備 | ||
1.一種具備抗靜電的AR薄膜，包括順次設置的基材、抗靜電涂層以及防反射層，其特征在于，所述防反射層為采用濺射形成的，所述防反射層至少包括有若干交替排列的二氧化硅層和五氧化二鈮層；
所述抗靜電涂層的抗靜電值為106-109Ω。
2.如權利要求1所述的具備抗靜電的AR薄膜，其特征在于，所述防反射層包括第一五氧化二鈮層、第一二氧化硅層、第二五氧化二鈮層、第二二氧化硅層，所述第一五氧化二鈮層與抗靜電涂層相鄰。
3.如權利要求2所述的具備抗靜電的AR薄膜，其特征在于，所述第一五氧化二鈮層厚度為10-20nm。
4.如權利要求2所述的具備抗靜電的AR薄膜，其特征在于，所述第一二氧化硅層厚度為20-30nm。
5.如權利要求2所述的具備抗靜電的AR薄膜，其特征在于，所述第二五氧化二鈮層厚度為110-130nm。
6.如權利要求2所述的具備抗靜電的AR薄膜，其特征在于，所述第二二氧化硅層厚度為70-100nm。
7.如權利要求1所述的具備抗靜電的AR薄膜，其特征在于，所述二氧化硅層的折射率為1.42-1.5。
8.如權利要求1所述的具備抗靜電的AR薄膜，其特征在于，所述五氧化二鈮層的折射率為2.1-2.5。
9.顯示組件，包括具有顯示界面的顯示器以及如權利要求1-8任一所述的AR薄膜，所述AR薄膜設置于所述顯示界面。
10.顯示設備，包括安裝框架以及如權利要求9所述的顯示組件，所述顯示組件連接到所述安裝框架。
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