[發明專利]一種調控Pt膜層晶體生長取向的制備方法

在審

• 申請號: 202210695225.8
• 申請日: 2022-06-17
• 公開（公告）號: CN115058686A
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 楊曌;丁燕;陸忠成;羅俊堯;李保昌;沓世我
• 申請（專利權）人: 廣東風華高新科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/18;C23C14/34;C23C14/58
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 王姣

1.一種調控Pt膜層晶體生長取向的制備方法，其特征在于，包括如下工藝步驟：

(1)圖案化掩膜：將干凈的基板依次進行光刻膠的旋涂、前烘、曝光、后烘、顯影處理；

(2)濺射鍍膜：將步驟(1)圖案化掩膜后的基板通過濺射鍍膜的方式依次沉積Ta層、Pt層；沉積所述的Pt層的濺射鍍膜工藝參數如下：濺射氣氛為含0～10％的氧氣和90％～100％的氬氣氣氛，濺射氣壓為0.3～0.4Pa，濺射功率為50～100W，濺射時間為65～130min；沉積所述的Ta層的濺射鍍膜工藝參數如下：濺射氣氛為氬氣，濺射氣壓為0.3～0.4Pa，濺射功率為50～100W，濺射時間為1-5min；

(3)去除掩膜：將步驟(2)濺射鍍膜后的基板置于去膠溶液中去除掩膜；

(4)退火處理：將步驟(3)去除掩膜后的基板進行退火處理，最終得到含Pt膜層的基板。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，沉積Pt層時的濺射氣氛為含5～10％的氧氣和90％～95％的氬氣氣氛，濺射氣壓為0.3Pa，濺射功率為75W，濺射時間為130min；沉積Ta層時濺射氣壓為0.3Pa，濺射功率為75W，濺射時間為2min。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，沉積Pt層時的本底真空度為6.0×10^-4Pa，偏壓為0～100V，沉積厚度為400～800nm，Pt靶材純度為99.999％，基板沉積溫度為0～500℃。

4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，沉積Pt層時的偏壓為100V，基板沉積溫度為200℃。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，沉積Ta層時的本底真空度為6.0×10^-4Pa，偏壓為0～100V，濺射速率為10nm/min，Ta靶材的純度為99.999％，基板沉積溫度為室溫。

6.如權利要求1～5任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，退火處理的工藝參數如下：升溫速率為2.5～5℃/min，溫度為500～1020℃，保溫時間為2～8h。

7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，退火處理的工藝參數如下：升溫速率為2.5℃/min，溫度為500～900℃。

8.如權利要求1～5任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述的基板為陶瓷基板，優選地，所述的陶瓷基板包括氧化鋁、氮化鋁中的任一種。

9.如權利要求1～5任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述的濺射鍍膜為磁控濺射鍍；步驟(3)所述的去膠溶液為丙酮。

10.如權利要求1～9任一項所述的制備方法制得的含Pt膜層的基板。