[發明專利]一種半導體加工晶圓超聲懸浮驅動裝置在審
| 申請號: | 202210652114.9 | 申請日: | 2022-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN115064478A | 公開(公告)日: | 2022-09-16 |
| 發明(設計)人: | 吳疆;王立鵬;陳騰;榮學文;宋銳;李貽斌 | 申請(專利權)人: | 山東大學 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人: | 閆圣娟 |
| 地址: | 250061 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 加工 超聲 懸浮 驅動 裝置 | ||
1.一種半導體加工晶圓超聲懸浮驅動裝置,其特征在于:包括連接在振子模塊頂部的彎振換能器和縱振換能器,彎振換能器和縱振換能器同圓心布置且兩者處于同一高度平面。
2.如權利要求1所述的一種半導體加工晶圓超聲懸浮驅動裝置,其特征在于:所述彎振換能器和縱振換能器均位于振子模塊的軸線上。
3.如權利要求1所述的一種半導體加工晶圓超聲懸浮驅動裝置,其特征在于:所述振子模塊包括通過緊固件串聯連接的端蓋、壓電陶瓷組和振子本體。
4.如權利要求1所述的一種半導體加工晶圓超聲懸浮驅動裝置,其特征在于:所述振子模塊向位于頂部的彎振換能器或縱振換能器提供振子激勵。
5.如權利要求1所述的一種半導體加工晶圓超聲懸浮驅動裝置,其特征在于:所述彎振換能器為圓盤型,與彎振換能器同心的縱振換能器為圓環型。
6.如權利要求5所述的一種半導體加工晶圓超聲懸浮驅動裝置,其特征在于:所述彎振換能器在電場與振子激勵下產生軸向縱波,表面與附近空氣形成駐波聲場,使待加工晶圓在聲輻射力作用下懸浮在彎振換能器上表面的設定高度范圍內;縱振換能器在電場激勵下產生周向行波,表面與附近空氣形成行波聲場,使待加工晶圓在行波聲輻射力作用下繞垂直軸軸周向轉動。
7.如權利要求1所述的一種半導體加工晶圓超聲懸浮驅動裝置,其特征在于:所述彎振換能器為圓環型,與彎振換能器同心的縱振換能器為圓盤型。
8.如權利要求7所述的一種半導體加工晶圓超聲懸浮驅動裝置,其特征在于:所述縱振換能器在電場與振子激勵下產生軸向縱波,表面與附近空氣形成駐波聲場,使待加工晶圓在聲輻射力作用下懸浮在縱振換能器上表面的設定高度范圍內;彎振換能器在電場激勵下產生周向行波,表面與附近空氣形成行波聲場,使待加工晶圓在行波聲輻射力作用下繞垂直軸軸周向轉動。
9.如權利要求1所述的一種半導體加工晶圓超聲懸浮驅動裝置,其特征在于:所述振子模塊為朗之萬型振子。
10.一種半導體加工裝置,其特征在于:包括晶圓自旋平臺,晶圓自旋平臺連接了如權利要求1-9任一項所述的晶圓超聲懸浮驅動裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





