[發明專利]無閂鎖高壓器件

在審

• 申請號: 202210640419.8
• 申請日: 2022-06-07
• 公開（公告）號: CN115706574A
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發明（設計）人: 趙利杰;郭仲賢;賴蘇明;方召
• 申請（專利權）人: 希荻微電子國際有限公司
• 主分類號: H03K17/0814
• 分類號: H03K17/0814;H03K17/687;H03K17/72;H01L27/02
• 代理公司: 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372
• 代理人: 陳培湧

1.一種無閂鎖負載開關裝置，其特征在于，包括：

第一漏極/源極區和第二漏極/源極區，所述第一漏極/源極區和所述第二漏極/源極區被形成在襯底上方的隔離環圍繞，所述隔離環被配置為浮動的；

和第一二極管，所述第一二極管連接在所述襯底與所述隔離環之間，其中，所述第一二極管為肖特基二極管。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括：

第三漏極/源極區，所述第三漏極/源極區被所述隔離環圍繞；

第一柵極，所述第一柵極形成于所述第一漏極/源極區和所述第二漏極/源極區之間；

第二柵極，所述第二柵極形成于所述第二漏極/源極區與所述第三漏極/源極區之間；

其中，所述第一漏極/源極區、所述第二漏極/源極區、所述第三漏極/源極區、所述第一柵極和所述第二柵極形成兩個背靠背連接的晶體管，所述第一漏極/源極區為背靠背連接的兩個晶體管的第一漏極，所述第二漏極/源極區為背靠背連接的兩個晶體管的公共源極，所述第三漏極/源極區是背靠背連接的兩個晶體管的第二漏極。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括：

第二二極管以及與所述第二二極管并聯的電阻器，所述第二二極管連接在襯底與地之間；

其中，所述第二二極管為肖特基二極管。

4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第二二極管的陽極連接于所述襯底，所述第二二極管的陰極接地。

5.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述電阻器是寄生元件，所述電阻器的寄生電阻值由所述襯底的布局決定。

6.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一二極管的陽極與所述襯底連接，所述第一二極管的陰極與所述隔離環連接。

7.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括：

位于具有第一導電類型的襯底上方，且具有所述第一導電類型的外延層；

具有第二導電類型的埋層、具有所述第二導電類型的多個第一區域和具有所述第二導電類型的多個第二區域，其中所述埋層、所述多個第一區域和所述多個第二區域形成隔離環；

在所述埋層上方和所述隔離環內形成的具有所述第一導電類型的深阱；

在所述深阱中具有所述第二導電類型的第一漂移層，其中，所述第一漏極/源極區在所述第一漂移層中形成；

在所述深阱中具有所述第二導電類型的第二漂移層，其中，第三漏極/源極區在所述第二漂移層中形成；

在所述深阱中，且在所述第一漂移層和所述第二漂移層之間形成的具有所述第一導電類型的體區，其中，所述第二漏極/源極區在所述體區中形成。

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。

9.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，還包括：

第三二極管，所述第三二極管形成于所述襯底與所述埋層之間，所述第三二極管的陽極連接所述襯底，第三二極管的陰極連接所述埋層；

第四二極管，所述第四二極管形成于所述埋層與所述深阱之間，所述第四二極管的陽極連接所述深阱，所述第四二極管的陰極連接所述埋層；

第五二極管，所述第五二極管形成于所述體區與所述第一漂移層之間，所述第五二極管的陽極連接所述體區，所述第五二極管的陰極連接所述第一漂移層；

第六二極管，所述第六二極管形成于所述體區與所述第二漂移層之間，所述第六二極管的陽極連接所述體區，所述第六二極管的陰極連接所述第二漂移層。

10.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述肖特基二極管由金屬觸點和N型區域構成。

11.根據權利要求10所述的裝置，其特征在于，配置所述肖特基二極管以防止設備進入閂鎖操作狀態。