[發明專利]磁共振成像裝置在審
| 申請號: | 202210632135.4 | 申請日: | 2022-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN115542214A | 公開(公告)日: | 2022-12-30 |
| 發明(設計)人: | 后藤研吾;青木學;高柳泰介;星野伸;今村幸信;竹內博幸;中山武 | 申請(專利權)人: | 富士膠片醫療健康株式會社 |
| 主分類號: | G01R33/42 | 分類號: | G01R33/42;G01R33/38 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 高穎 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁共振 成像 裝置 | ||
本發明提供磁共振成像裝置。提供具備抑制漏磁通的磁屏蔽構造的MRI裝置。具備:以攝像空間為中心對置配置的一對靜磁場磁鐵;和以攝像空間為中心對置配置的一對傾斜磁場線圈,靜磁場磁鐵具有圓盤狀磁性體磁極(201)和圓環狀磁性體磁極(202),傾斜磁場線圈具有:在攝像區域中在Z軸方向上提供傾斜的磁場的第1線圈(204);和對圓盤狀磁性體磁極遮蔽從第1線圈產生的磁通的層疊體(301),層疊體在圓環上磁性體磁極側的Z軸方向厚度比攝像空間的中心部薄,層疊體的圓環狀磁性體磁極側的層疊體端部的鉛垂方向最下部位于比層疊體的攝像區域側的層疊體中央部的最下部高的位置。
技術領域
本發明涉及抑制由磁共振成像(以下稱作MRI)裝置內的傾斜磁場線圈形成的漏磁通的磁屏蔽構造。
背景技術
MRI裝置是如下那樣的裝置:對被試驗者給予高頻的磁場,使人體內的氫原子產生共振,能夠由接收線圈取得在該共振時產生的電波,將所得到的電波提取為圖像。MRI裝置主要由如下要素構成:用于構成均勻的靜磁場的靜磁場磁鐵;生成空間上線性的磁場并對從MRI得到的信號追加位置信息的傾斜磁場線圈;和上述用于接收從氫原子產生的電波的接收線圈等。
傾斜磁場線圈由于為了生成所期望的空間上的磁場而流通脈沖狀的電流波形,因此,會通過與該電流變化相應的渦電流而產生變動磁場,使MRI裝置內的金屬部件產生渦電流。該變動磁場會使靜磁場的均勻性變差,或給傾斜磁場的空間分布帶來影響,從而成為圖像劣化的要因。特別是,用于生成靜磁場的磁鐵大多由鐵材質磁極構成,有可能會給該磁極材料的磁化也帶來影響。
因此,在近年的MRI裝置中,通過追加被稱作有源屏蔽線圈的將產生渦電流的相反朝向的磁場抵消這樣的功能,抑制了圖像劣化。
但是,由于通過該有源屏蔽所占據的區域,磁鐵與攝像空間的距離遠離,磁阻變高,因此用于生成所需的靜磁場的磁動勢、磁極會大型化。雖然磁動勢的增大能用線圈電流、匝數來進行調整,但有可能會招致因線圈電流增大所導致的磁能的增大以及因線圈、磁極的大型化所導致的高成本化。
根據這樣的背景,公開了如下對策方法:在中低磁場的MRI裝置中,在傾斜磁場線圈與金屬構造物之間設置成為磁通的通路且能抑制渦電流產生的例如軟鐵氧體、硅鋼板等磁性體磁極片(參考專利文獻1)。
此外,在專利文獻2中,已知如下結構:為了抑制渦電流,通過在傾斜磁場線圈與磁性體磁極間設置被分成由減小了直徑的硅鋼板構成的表層部和由加大了直徑的硅鋼板構成的深層部的層疊體,來進行渦電流的抑制,防止因減小硅鋼板直徑所引起的表觀的導磁率的減少。
進而,在專利文獻3中,在磁極加入狹縫構造,來減小渦電流所流通的區域,加快衰減時間常數,通過設為這樣的結構,抑制了在傾斜磁場線圈的電流隨時間變化時磁通向磁極泄漏。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:JP特開平05-182821號公報
專利文獻2:JP特開2004-65714號公報
專利文獻3:JP特開2016-96829號公報
但是,例如在專利文獻1中,由于使用飽和磁化低的軟鐵氧體,因此在高磁場下,例如在1.5T的靜磁場下,會失去磁屏蔽效果,難以抑制渦電流。此外,在專利文獻2記載的結構中,需要準備多種層疊體的大小,有可能會招致層疊體的制造成本增大、制造時間長期化。進而,在專利文獻3記載的結構中,由于在磁極中加入了狹縫,因而有可能因磁極的構造強度變差而需要追加加固構件。此外,由于鐵材質的量減少了狹縫的量,表觀上的導磁率減少,因此有可能由于所需的磁動勢增大而招致高成本化。
發明內容
本發明的目的在于,解決上述的課題,提供具備可抑制漏磁通的磁屏蔽構造的MRI裝置。
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