[發(fā)明專利]具有橫向分布反射器的射頻聲學器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210617381.2
• 申請日: 2022-06-01
• 公開（公告）號: CN115441848A
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發(fā)明（設計）人: 柳建松;黃宰申;A·A·希拉卡瓦
• 申請（專利權）人: 天工全球私人有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H9/05;H03H9/02;H03H9/54
• 代理公司: 北京市正見永申律師事務所 11497
• 代理人: 黃小臨

一種體聲波諧振器包括：壓電材料層；設置在壓電材料層上表面上的第一金屬層；設置在壓電材料層下表面上的第二金屬層；以及橫向分布凸起框架，其包括設置在第一金屬層的上表面上并具有帶有錐形部分和非錐形部分的內凸起框架部分、和外凸起框架部分的第一凸起框架，以及設置在第一金屬層和外凸起框架部分下方但不在內凸起框架部分下方的第二凸起框架，內凸起框架部分從體聲波諧振器的中央活動區(qū)域以第一距離橫向設置，外凸起框架部分從中央活動區(qū)域以大于第一距離的第二距離橫向設置。

技術領域

本申請總的涉及體聲波諧振器。

背景技術

體聲波諧振器是一種在兩個電極之間具有壓電材料的器件。當電磁信號施加到其中一個電極時，聲波在壓電材料中產生并傳播到另一個電極。

取決于壓電材料的厚度，建立這種聲波的諧振，并且在另一個電極上，產生具有對應于諧振聲波的頻率的電磁信號。因此，這種體聲波諧振器可以用來為諸如射頻(RF)信號的電磁信號提供濾波功能。

在許多應用中，電極之間的壓電材料相對較薄，并實現(xiàn)為薄膜。因此，體聲波諧振器有時被稱為薄膜體聲波諧振器(thin-film bulk acoustic wave resonator，TFBAR)或膜體聲波諧振器(film bulk acoustic wave resonator，F(xiàn)BAR)。

發(fā)明內容

根據(jù)本申請的一個方面，提供了一種體聲波諧振器器件。所述體聲波諧振器包括：壓電材料層，其具有上表面和下表面；第一金屬層，其具有設置在所述壓電材料層上表面上的下表面、和上表面；第二金屬層，其具有設置在所述壓電材料層下表面上的上表面、和下表面；以及橫向分布凸起框架，其包括設置在所述第一金屬層的上表面上并具有帶有錐形部分和非錐形部分的內凸起框架部分、和外凸起框架部分的第一凸起框架，以及設置在所述第一金屬層和所述外凸起框架部分下方但不在所述內凸起框架部分下方的第二凸起框架，所述第一凸起框架的內凸起框架部分從所述體聲波諧振器器件的中央活動區(qū)域以第一距離橫向設置，所述第一凸起框架的外凸起框架部分從所述體聲波諧振器設備的中央活動區(qū)域以第二距離橫向設置，所述第二距離大于所述第一距離，所述橫向分布凸起框架配置為改善側模式波的反射并減少主模式波到側模式波的轉換。

在一些實施例中，所述第一凸起框架由金屬形成。

在一些實施例中，所述第二凸起框架是由氧化物形成。

在一些實施例中，所述第一凸起框架的外凸起框架部分具有寬度和在所述寬度上基本均勻的厚度。

在一些實施例中，所述第二凸起框架包括內部錐形部分和外部非錐形部分。

在一些實施例中，所述第二凸起框架的內部錐形部分具有10°和60°的錐角。

在一些實施例中，所述第二凸起框架的外部非錐形部分具有寬度和在所述寬度上基本均勻的厚度。

在一些實施例中，所述第一凸起框架的內凸起框架部分的錐形部分具有5°至45°的錐角。

在一些實施例中，所述體聲波諧振器器件進一步包括：電介質層，其設置在所述第一金屬層的上表面上，并定義了圍繞所述中央活動區(qū)域的凹陷框架區(qū)域。

在一些實施例中，所述體聲波諧振器器件不包括凹陷框架區(qū)域。

在一些實施例中，所述第一凸起框架的內凸起框架部分的錐形部分的寬度小于所述第一凸起框架的內凸起框架部分的非錐形部分的寬度。

在一些實施例中，所述第一凸起框架的內凸起框架部分的錐形部分的寬度大于所述第一凸起框架的內凸起框架部分的非錐形部分的寬度。

在一些實施例中，所述第二凸起框架具有與所述第一金屬層的下表面接觸的上表面。

在一些實施例中，所述第二凸起框架具有與所述第二金屬層的上表面接觸的下表面。