[發明專利]一種多功能存儲芯片封裝結構的加工方法在審
| 申請號: | 202210598869.5 | 申請日: | 2022-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN114975141A | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發明(設計)人: | 喻志剛;林建濤 | 申請(專利權)人: | 東莞憶聯信息系統有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/552 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人: | 丁宇龍 |
| 地址: | 523000 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多功能 存儲 芯片 封裝 結構 加工 方法 | ||
1.一種多功能存儲芯片封裝結構的加工方法,其特征在于,所述方法包括:
設計制作封裝基板,所述封裝基板劃分為多個功能區域,各功能區域周圍設有EMI屏蔽金屬接地焊墊;
在各功能區域周圍鉆金屬膠注膠通孔;
使用全自動高速點膠機在各功能區域周圍的通孔注入金屬導電導熱膠,待填充完后在上表面堆疊金屬導電膠形成分區屏蔽墻;
進行整體封膠,并將封膠后整片封膠面進行研磨減薄;
在研磨減薄后的黑膠表面進行EMI屏蔽金屬層濺鍍形成共形屏蔽層。
2.根據權利要求1所述的多功能存儲芯片封裝結構的加工方法,其特征在于,所述使用全自動高速點膠機在各功能區域周圍的通孔注入金屬導電導熱膠,待填充完后在上表面堆疊金屬導電膠形成分區屏蔽墻的步驟之后還包括:
對所述封裝基板進行錫膏印刷,并將SMD元件、功能模組、倒裝芯片依次進行貼裝、回流焊接以及清洗。
3.根據權利要求2所述的多功能存儲芯片封裝結構的加工方法,其特征在于,所述對封裝基板進行錫膏印刷,并將SMD元件、功能模組、倒裝芯片依次進行貼裝、回流焊接以及清洗的步驟之后還包括:
使用點膠機對倒裝芯片底部點非導電底部填充膠,并烘烤固化。
4.根據權利要求3所述的多功能存儲芯片封裝結構的加工方法,其特征在于,所述使用點膠機對倒裝芯片底部點非導電底部填充膠,并烘烤固化的步驟之后還包括:
進行Flash/Dram存儲芯片的晶圓粘貼以及焊線。
5.根據權利要求1所述的多功能存儲芯片封裝結構的加工方法,其特征在于,所述在各功能區域周圍鐳射鉆金屬膠注膠通孔的步驟包括:
在各功能區域周圍通過使用鐳射鉆金屬膠注膠通孔,所述通孔與所述EMI屏蔽金屬接地焊墊相鄰接。
6.根據權利要求1-5任一項所述的多功能存儲芯片封裝結構的加工方法,其特征在于,所述在研磨減薄后的黑膠表面進行EMI屏蔽金屬層濺鍍形成共形屏蔽層的步驟之后還包括:
對整片背面植錫球后切成單顆多功能存儲芯片顆粒。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東莞憶聯信息系統有限公司,未經東莞憶聯信息系統有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210598869.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





