[發(fā)明專利]一種顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210592116.3 | 申請日: | 2022-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN114975555A | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅壘壘;靳增建;馬亞龍 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 | ||
本發(fā)明涉及一種顯示面板。本發(fā)明的位于紅外透光區(qū)內(nèi)的導線位于開孔區(qū)外,由此可以提升開孔區(qū)的光線透過率,提高顯示面板的紅外通信性能,避免現(xiàn)有技術(shù)中導線遮擋開孔區(qū),導致開孔區(qū)的光線透過率降低,無法達到標準,導致顯示面板的紅外通信性能差的問題。本發(fā)明的黑色矩陣層上具有至少一個通孔,通孔位于開孔區(qū)內(nèi),由此可以提升開孔區(qū)的光線透過率,提高顯示面板的紅外通信性能,避免現(xiàn)有技術(shù)中黑色矩陣層遮擋開孔區(qū),導致開孔區(qū)的光線透過率降低,無法達到標準,導致顯示面板的紅外通信性能差的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種顯示面板。
背景技術(shù)
有機發(fā)光二極管(英文全稱:Organic Light Emitting Diode,簡稱OLED)是一種利用有機半導體材料在電流驅(qū)動下產(chǎn)生可逆變色來實現(xiàn)多彩顯示的光電技術(shù)。OLED具有輕薄、高亮度、主動發(fā)光、能耗低、大視角、快速響應、可柔性、工作溫度范圍寬、電壓需求低、省電效率高、反應快、構(gòu)造簡單、成本低、幾乎無窮高的對比度等優(yōu)點,被認為是最有發(fā)展前途的新一代顯示技術(shù)。
在OLED中,去偏光片(POL less)技術(shù)在OLED中設(shè)置彩膜(Color Filter,CF)和黑矩陣(Black Matrix,BM)替代偏光片,可以提高OLED的出光率,降低OLED的功耗和厚度,因此被廣泛應用。
隨著POL less技術(shù)在OLED上的應用,去偏光片顯示面板(POL less panel)的導線形成的觸控網(wǎng)格和BM遮擋紅外透光(英文全稱:infrared region,簡稱IR)區(qū),導致紅外透光區(qū)的光線透過率降低,無法達到標準,導致OLED的紅外通信性能差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種顯示面板,其能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中觸控網(wǎng)格和BM遮擋紅外透光區(qū),導致紅外透光區(qū)的光線透過率降低,無法達到標準,導致OLED的紅外通信性能差等問題。
為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種顯示面板,其包括:顯示區(qū);所述顯示區(qū)內(nèi)具有至少一個紅外透光區(qū),所述紅外透光區(qū)內(nèi)具有至少一個開孔區(qū);所述顯示面板包括:基板;觸控層,設(shè)置于所述基板上,其包括觸控電極;所述觸控電極包括導線形成的觸控網(wǎng)格;以及黑色矩陣層,設(shè)置于所述觸控層遠離所述基板的一側(cè),其具有通孔;所述通孔位于所述開孔區(qū)內(nèi);其中,位于所述紅外透光區(qū)內(nèi)的所述導線位于所述開孔區(qū)外。
進一步的,所述顯示面板還包括:發(fā)光層,設(shè)置于所述基板與所述觸控層之間,其包括多個間隔設(shè)置的子像素;所述子像素包括:第一子像素、第二子像素以及第三子像素;所述第一子像素、第二子像素以及第三子像素分別為紅色子像素、藍色子像素以及綠色子像素中的一個;所述第一子像素、第二子像素以及第三子像素均為中心對稱圖形。
進一步的,所述導線包括:第一導線、第二導線、第三導線以及第四導線;每一所述第一導線包圍一個所述第一子像素,每一所述第二導線包圍一個所述第二子像素,每一所述第三導線包圍一個所述第三子像素,每一所述第四導線包圍一個所述第三子像素;位于所述紅外透光區(qū)內(nèi)的所述第四導線還包圍兩個沿第一方向排列的所述通孔;其中,所述第四導線在所述第一方向上與所述第三導線交錯設(shè)置;所述第四導線在垂直于所述第一方向的第二方向上與所述第三導線交錯設(shè)置。
進一步的,位于所述第四導線圍成的形狀內(nèi)的兩個通孔分別位于所述第三子像素的兩側(cè)。
進一步的,所述第三導線圍成的形狀為中心對稱的六邊形;所述第四導線圍成的形狀均為中心對稱圖形;所述第四導線圍成的形狀包括:關(guān)于第二方向?qū)ΨQ設(shè)置的第一虛擬矩形和第二虛擬矩形以及關(guān)于第二方向?qū)ΨQ設(shè)置的第一虛擬等腰梯形和第二虛擬等腰梯形,所述第一虛擬等腰梯形的上底與所述第一虛擬矩形的一側(cè)邊重合。
進一步的,所述第三導線圍成的形狀的中心與其包圍的所述第三子像素的中心重合;所述第四導線圍成的形狀的中心與其包圍的所述第三子像素的中心重合。
進一步的,每一所述第四導線包圍的兩個所述通孔關(guān)于其包圍的所述第三子像素的中心對稱。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





