[發明專利]半導體結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202210582194.5
• 申請日: 2022-05-26
• 公開（公告）號: CN115000004A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 王亮;許杞安
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/8242;H01L23/544;H01L23/538;H01L27/108
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453
• 代理人: 劉馨月

本公開提供一種半導體結構及其制作方法，半導體結構包括：布線結構層，布線結構層包括金屬導電層以及覆蓋金屬導電層的介電層，布線結構層包括測試墊設置區，測試墊設置區包括中部區域以及設置于中部區域外圍的外圍區域；開口，設置于外圍區域，并暴露出部分金屬導電層；測試墊，覆蓋測試墊設置區，且測試墊經開口與金屬導電層接觸。在本公開中，測試墊僅在外圍區域下沉入開口內，而覆蓋中部區域的測試墊較為平整，從而在測試時能夠保證測試墊與測試探針形成可靠接觸，保證測試的準確性。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體結構及其制作方法。

背景技術

半導體器件因其體積小、集成度高、功耗低等優點在電子器件中得到廣泛應用。隨著技術進步，半導體器件的集成度越來越高，以滿足對更高的性能以及更小的物理尺寸的需求。

在半導體器件的開發、生產等過程中，需要對半導體器件進行測試，以測試半導體結構的電學性能等是否合乎預期。半導體器件的測試準確性一直是行業內關注的問題。

發明內容

以下是對本公開詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。

本公開提供一種半導體結構及半導體結構及半導體結構的制作方法。

本公開的第一方面提供一種半導體結構，所述半導體結構包括：

布線結構層，所述布線結構層包括金屬導電層以及覆蓋所述金屬導電層的介電層，所述布線結構層包括測試墊設置區，所述測試墊設置區包括中部區域以及設置于所述中部區域外圍的外圍區域；

開口，設置于所述外圍區域，并暴露出部分所述金屬導電層；

測試墊，覆蓋所述測試墊設置區，且所述測試墊經所述開口與所述金屬導電層接觸。

根據本公開的一些實施例，所述開口在所述布線結構層上的投影呈圍繞所述中部區域的周向封閉圖案。

根據本公開的一些實施例，所述周向封閉圖案為矩形、正方形或六邊形。

根據本公開的一些實施例，所述開口設置有多個，多個所述開口圍繞所述中部區域設置。

根據本公開的一些實施例，所述開口在所述布線結構層上的投影呈條形圖案，所述條形圖案包括至少兩條首尾相接的條形段，相鄰所述條形段之間呈夾角設置。

根據本公開的一些實施例，所述中部區域呈矩形或正方形，所述條形圖案沿所述中部區域的至少兩個側邊延伸。

根據本公開的一些實施例，所述中部區域呈矩形或正方形，所述中部區域的至少一側設置有所述開口，位于所述中部區域的同一側的所述開口在所述布線結構層上的投影呈所述條形圖案。

根據本公開的一些實施例，所述測試墊在所述布線結構層上的投影呈矩形或正方形，所述測試墊在所述布線結構層上的投影形狀的邊長為30至60微米。

根據本公開的一些實施例，所述開口在所述布線結構層上的投影形狀的線條寬度為1至7微米。

本公開的第二方面提供一種半導體結構的制作方法，所述半導體結構的制作方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成布線結構層，所述布線結構層包括金屬導電層以及覆蓋所述金屬導電層的介電層，所述布線結構層包括測試墊設置區，所述測試墊設置區包括中部區域以及設置于所述中部區域外圍的外圍區域；

在所述外圍區域去除至少部分所述介電層，形成開口，所述開口暴露出部分所述金屬導電層；

在所述測試墊設置區形成測試墊，所述測試墊經所述開口與所述金屬導電層接觸。