[發明專利]半導體結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202210582194.5
• 申請日: 2022-05-26
• 公開（公告）號: CN115000004A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 王亮;許杞安
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/8242;H01L23/544;H01L23/538;H01L27/108
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453
• 代理人: 劉馨月

1.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包括：

布線結構層，所述布線結構層包括金屬導電層以及覆蓋所述金屬導電層的介電層，所述布線結構層包括測試墊設置區，所述測試墊設置區包括中部區域以及設置于所述中部區域外圍的外圍區域；

開口，設置于所述外圍區域，并暴露出部分所述金屬導電層；

測試墊，覆蓋所述測試墊設置區，且所述測試墊經所述開口與所述金屬導電層接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述開口在所述布線結構層上的投影呈圍繞所述中部區域的周向封閉圖案。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述周向封閉圖案為矩形、正方形或六邊形。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述開口設置有多個，多個所述開口圍繞所述中部區域設置。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述開口在所述布線結構層上的投影呈條形圖案，所述條形圖案包括至少兩條首尾相接的條形段，相鄰所述條形段之間呈夾角設置。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述中部區域呈矩形或正方形，所述條形圖案沿所述中部區域的至少兩個側邊延伸。

7.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述中部區域呈矩形或正方形，所述中部區域的至少一側設置有所述開口，位于所述中部區域的同一側的所述開口在所述布線結構層上的投影呈所述條形圖案。

8.根據權利要求1至7任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述測試墊在所述布線結構層上的投影呈矩形或正方形，所述測試墊在所述布線結構層上的投影形狀的邊長為30至60微米。

9.根據權利要求1至7任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述開口在所述布線結構層上的投影形狀的線條寬度為1至7微米。

10.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，所述半導體結構的制作方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成布線結構層，所述布線結構層包括金屬導電層以及覆蓋所述金屬導電層的介電層，所述布線結構層包括測試墊設置區，所述測試墊設置區包括中部區域以及設置于所述中部區域外圍的外圍區域；

在所述外圍區域去除至少部分所述介電層，形成開口，所述開口暴露出部分所述金屬導電層；

在所述測試墊設置區形成測試墊，所述測試墊經所述開口與所述金屬導電層接觸。

11.根據權利要求10所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述在所述外圍區域去除至少部分所述介電層，形成開口，包括：

在所述布線結構層上形成第一掩膜層，所述第一掩膜層包括第一預設圖案，所述第一預設圖案在所述布線結構層上的投影呈圍繞所述中部區域的周向封閉圖案，或者，所述第一預設圖案在所述布線結構層上的投影呈圍繞部分所述中部區域的至少一個條形圖案；

基于所述第一掩膜層，刻蝕所述介電層，得到所述開口。

12.根據權利要求10所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第一預設圖案的線條寬度為1至7微米。

13.根據權利要求10所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述在所述測試墊設置區形成測試墊，包括：

在所述布線結構層上形成導電材料層，所述導電材料層覆蓋所述介電層、所述開口的側壁以及經所述開口暴露出的所述金屬導電層；

去除部分所述導電材料層，保留的所述導電材料層構成所述測試墊。