[發明專利]超窄帶超表面吸收器在審
| 申請號： | 202210571503.9 | 申請日： | 2022-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN115113309A | 公開（公告）日： | 2022-09-27 |
| 發明（設計）人： | 高揚;劉暢;張景煜;馮恒利;房冬超;王金成;張作鑫 | 申請（專利權）人： | 黑龍江大學 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 哈爾濱華夏松花江知識產權代理有限公司 23213 | 代理人： | 岳昕 |
| 地址： | 150000 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 窄帶 表面 吸收 | ||
1.超窄帶超表面吸收器，由多個相同細胞單元陣列組成，其特征在于，每個細胞單元由基底層(1)、介質層(2)、底層圓環(3)、中層介質圓環(4)、頂層圓環(5)、底層長方體(6)、中層介質長方體(7)和頂層長方體(8)組成；
所述介質層(2)緊貼于基底層(1)上方，介質層(2)上設置有由底層圓環(3)和底層長方體(6)組成的結構；所述底層圓環(3)上依次覆蓋有中層介質圓環(4)和頂層圓環(5)；所述底層長方體(6)上依次覆蓋有中層介質長方體(7)和頂層長方體(8)。
2.根據權利要求書1所述的超窄帶超表面吸收器，
其特征在于，
底層圓環(3)、中層介質圓環(4)和頂層圓環(5)的結構參數相同；
底層長方體(7)中層介質長方體(7)和頂層長方體(8)的結構參數相同。
3.根據權利要求2所述的超窄帶超表面吸收器，
其特征在于，
在基底層(1)中，x方向的周期Px＝500nm，y方向的周期Py＝500nm，高度h1＝100nm；
在介質層(2)中，x方向的周期Px＝500nm，y方向的周期Py＝500nm，高度h2＝200nm；
在底層圓環(3)、中層介質圓環(4)和頂層圓環(5)中，外圓直徑d1＝100nm，內圓直徑d2＝20nm，高度h3＝35nm；
在底層長方體(6)、中層介質長方體(7)和頂層長方體(8)中，x方向的寬度Wx＝28nm，y方向的寬度Wy＝200nm，高度h4＝28nm。
4.根據權利要求書1、2或3所述的超窄帶超表面吸收器，其特征在于，所述基底層(1)為硅材料，所述介質層(2)為二氧化硅材料，所述底層圓環(3)為銀材料，所述中層介質圓環(4)為二氧化硅材料，所述頂層圓環(5)為銀材料，所述底層長方體(6)為銀材料，所述中層介質長方體(7)為二氧化硅材料，所述頂層長方體(8)為銀材料。
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