[發(fā)明專利]真隨機數(shù)發(fā)生器及產(chǎn)生真隨機數(shù)的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210550931.3 | 申請日: | 2022-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN114937735A | 公開(公告)日: | 2022-08-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曹易;王超;任睿智;魯軍;譚浩 | 申請(專利權(quán))人: | 北京量子信息科學(xué)研究院 |
| 主分類號: | H01L43/06 | 分類號: | H01L43/06;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/14;G06F7/58 |
| 代理公司: | 北京律和信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 何春暉;張莎莎 |
| 地址: | 100193 北京市海淀區(qū)中*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 隨機數(shù) 發(fā)生器 產(chǎn)生 方法 | ||
1.一種包括多層膜結(jié)構(gòu)的真隨機數(shù)發(fā)生器,其特征在于,所述多層膜結(jié)構(gòu)包括:
導(dǎo)電層,配置成通入第一電流;
第一磁性層,位于所述導(dǎo)電層之上,易磁化方向垂直于所述導(dǎo)電層與所述第一磁性層的交界面,配置成在所述第一電流的焦耳熱作用下,所述第一磁性層的磁矩克服翻轉(zhuǎn)能量勢壘向垂直于所述交界面向上或向下的方向隨機翻轉(zhuǎn);
自旋流抵消層,位于所述第一磁性層之上,用于抵消所述導(dǎo)電層與所述第一磁性層的交界面上產(chǎn)生的自旋流對所述第一磁性層的磁矩產(chǎn)生的自旋軌道矩。
2.如權(quán)利要求1所述的真隨機數(shù)發(fā)生器,其中所述多層膜結(jié)構(gòu)進一步包括:
襯底,所述導(dǎo)電層位于所述襯底上;
蓋帽層,位于所述自旋流抵消層之上,用于保護其下各層;其中
所述導(dǎo)電層為十字交叉形,所述第一磁性層、所述自旋流抵消層和所述蓋帽層為截面形狀相同的薄膜,所述第一磁性層、所述自旋流抵消層和所述蓋帽層堆疊于所述十字交叉形的中心區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的真隨機數(shù)發(fā)生器,其中以所述十字交叉形的幾何中心為平面直角坐標(biāo)原點,以所述十字交叉形的一個延伸方向為X軸,另一個延伸方向為Y軸,所述導(dǎo)電層進一步配置成:
在所述導(dǎo)電層沿X軸的兩端分別接入電極,用于通入所述第一電流;
在所述導(dǎo)電層沿Y軸的兩端分別接入電極,用于檢測霍爾電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的真隨機數(shù)發(fā)生器,其中所述第一電流包括脈沖電流,并且所述霍爾電壓在所述脈沖電流的相鄰脈沖周期之間進行檢測,以得到隨機數(shù)序列。
5.如權(quán)利要求2-4中任一項所述的真隨機數(shù)發(fā)生器,其中
所述襯底包括硅基片;
所述導(dǎo)電層采用重金屬材料或拓?fù)浣^緣體材料制成;
所述第一磁性層采用鐵磁材料制成;
所述自旋流抵消層采用與所述導(dǎo)電層相同的材料制成;和/或
所述蓋帽層采用非鐵導(dǎo)電金屬材料制成。
6.如權(quán)利要求1所述的真隨機數(shù)發(fā)生器,其中所述多層膜結(jié)構(gòu)進一步包括:
襯底,所述導(dǎo)電層位于所述襯底上;
第二磁性層,位于所述自旋流抵消層之上,易磁化方向垂直于所述自旋流抵消層與所述第二磁性層的交界面;
釘扎層,位于所述第二磁性層之上,用于固定所述第二磁性層的磁矩方向;
蓋帽層,位于所述釘扎層之上,用于保護其下各層;其中
所述導(dǎo)電層為條形,所述第一磁性層、所述自旋流抵消層、所述第二磁性層、所述釘扎層和所述蓋帽層為截面形狀相同的薄膜,所述第一磁性層、所述自旋流抵消層、所述第二磁性層、所述釘扎層和所述蓋帽層堆疊于所述條形的中心區(qū)域。
7.如權(quán)利要求6所述的真隨機數(shù)發(fā)生器,其中以所述條形的幾何中心為三維直角坐標(biāo)原點,以所述條形的延伸方向為X軸,以垂直于X軸并沿所述多層膜結(jié)構(gòu)的堆疊方向為Z軸,
在所述導(dǎo)電層沿X軸的兩端分別接入電極,用于通入所述第一電流;
在所述蓋帽層沿Z軸的一端接入電極,用于通入第二電流。
8.如權(quán)利要求7所述的真隨機數(shù)發(fā)生器,其中所述第一電流包括具有預(yù)設(shè)間隔的脈沖電流,所述第二電流在所述預(yù)設(shè)間隔通入,以測量所述多層膜結(jié)構(gòu)的磁電阻,并根據(jù)所述磁電阻得到隨機數(shù)序列。
9.如權(quán)利要求6-8中任一項所述的真隨機數(shù)發(fā)生器,其中
所述襯底包括硅基片;
所述導(dǎo)電層采用重金屬材料或拓?fù)浣^緣體材料制成;
所述第一磁性層采用軟磁材料制成;
所述自旋流抵消層采用與所述導(dǎo)電層相同的材料制成;
所述第二磁性層采用鐵磁材料制成;
所述釘扎層采用反鐵磁材料制成;和/或
所述蓋帽層采用非鐵導(dǎo)電金屬材料制成。
10.如權(quán)利要求4或8所述的真隨機數(shù)發(fā)生器,其中
所述第一電流的電流強度和/或脈沖寬度根據(jù)所述第一磁性層的翻轉(zhuǎn)能量勢壘確定。
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