[發明專利]一種基于SiGe-BiCMOS工藝的共源共基放大器

在審

• 申請號: 202210549651.0
• 申請日: 2022-05-20
• 公開（公告）號: CN114900138A
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 姚靜石;劉成鵬;陳陽平;蘇黎明;龔海波
• 申請（專利權）人: 成都明夷電子科技有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45;H03F1/42;H03F1/02;H03F1/26
• 代理公司: 成都君合集專利代理事務所(普通合伙) 51228
• 代理人: 尹新路

1.一種基于SiGe-BiCMOS工藝的共源共基放大器，其特征在于，包括采用四級差分放大結構依次連接的輸入匹配單元、第一級差分共源共基單元、第二級差分共源共基單元、第三級差分共源共基單元、第四級差分共源共基單元、輸出阻抗匹配單元；

所述第一級差分共源共基單元、第二級差分共源共基單元、第三級差分共源共基單元、第四級差分共源共基單元結構都包括輸入匹配網絡和差分放大電路；所述差分放大電路中設置有基于SiGe-BiCMOS工藝的HBT晶體管和MOS晶體管；

所述第一級差分共源共基單元的輸入匹配網絡與輸入匹配短線和第一級差分共源共基單元的差分放大電路連接；第一級差分共源共基單元、第二級差分共源共基單元、第三級差分共源共基單元、第四級差分共源共基單元之間，由上一級的差分放大單元的差分放大電路與下一級的差分放大單元的輸入匹配單元之間進行連接；所述第四級差分共源共基單元的差分放大電路與所述輸出阻抗匹配單元連接。

2.如權利要求1所述的一種基于SiGe-BiCMOS工藝的共源共基放大器，其特征在于，所述第一級差分共源共基單元的差分放大電路包括HBT晶體管B1b、HBT晶體管B2b、MOS晶體管M1b、MOS晶體管M2b、MOS晶體管M3b、MOS晶體管M4b、MOS晶體管M5b、MOS晶體管M6b、電容C1b、電容C2b、電容C3b、電容C5b、電容C7b、電容C8b、電阻R1b、電阻R2b、電阻R3b、電阻R4b、電阻R5b、電阻R6b、電阻R7b、電阻R8b、電阻R9b、電阻R10b、電阻R11b、傳輸負載TL1b、傳輸負載TL2b；

所述HBT晶體管B1b的發射極與MOS晶體管M1b的漏極連接，基極與接地的電容C1b連接，集電級與接地的電容C7b連接；

所述HBT晶體管B2b的發射極與MOS晶體管M4b的漏極連接，基極與接地的電容C2b連接，集電級與電容C8b連接；

所述MOS晶體管M1b的源級與MOS晶體管M4b的源級連接，柵極與MOS晶體管M2b的源極連接；

所述MOS晶體管M2b漏極與電阻R3b連接，柵極與輸入匹配單元連接；

所述MOS晶體管M3b的柵極通過電阻R5b與MOS晶體管M1b的柵極連接，漏極與MOS晶體管M2b的柵極連接，源極接地；

所述MOS晶體管M4b的柵極與MOS晶體管M5b的源極連接；

所述MOS晶體管M5b漏極與電阻R7b連接，柵極與輸入匹配單元連接；

所述MOS晶體管M6b的柵極通過電阻R9b與MOS晶體管M4b的柵極連接，漏極與MOS晶體管M5b的柵極連接，源極接地；

所述電阻R1b一端與HBT晶體管B1b的基極連接，另一端與電源連接；

所述電阻R2b一端與HBT晶體管B2b的基極連接，另一端與電源連接；

所述傳輸負載TL1b一端HBT晶體管B1b的集電極連接，另一端與電源連接；

所述傳輸負載TL2b一端HBT晶體管B2b的集電極連接，另一端與電源連接；

所述電阻R6b一端與MOS管M3b的漏極連接，另一端與電源連接；

所述電阻R4b一端與MOS管M2b的源極連接，另一端與地連接；

所述電阻R10b一端與MOS管M6b的漏極連接，另一端與電源連接；

所述電阻R8b一端與MOS管M5b的源極連接，另一端與地連接；

所述電阻R11b一端搭接在MOS管M1b的源極和MOS管M4b的源極之間，另一端與地連接；

所述電容C3b一端搭接在MOS管M3b的柵極與電阻R5b之間，另一端接地；

所述電容C5b一端搭接在MOS管M6b的柵極與電阻R9b之間，另一端接地。

3.如權利要求2所述的一種基于SiGe-BiCMOS工藝的共源共基放大器，其特征在于，所述第一級差分共源共基單元的輸入匹配單元包括傳輸線TL5b、傳輸線TL6b、電容C4b、電容C6b；所述輸入匹配短線包括輸入匹配短線TL3b和輸入匹配短線TL4b；

所述傳輸線TL6b的一端與輸入匹配短線TL4b連接，另一端與電容C6b連接；電容C6b的另一端與第一級差分共源共基單元的MOS晶體管M5b柵極連接；

所述輸入匹配短線TL5b的一端與輸入匹配短線TL3b連接，另一端與電容C4b連接；電容C4b的另一端與第一級差分共源共基單元的MOS晶體管M2b柵極連接。