[發明專利]一種不同光強對CMOS圖像傳感器像素單元滿阱容量影響的仿真方法在審
| 申請號： | 202210538335.3 | 申請日： | 2022-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN114900687A | 公開（公告）日： | 2022-08-12 |
| 發明（設計）人： | 李豫東;馮婕;傅婧;文林;郭旗 | 申請（專利權）人： | 中國科學院新疆理化技術研究所 |
| 主分類號： | H04N17/00 | 分類號： | H04N17/00;H04N5/374 |
| 代理公司： | 烏魯木齊中科新興專利事務所(普通合伙) 65106 | 代理人： | 張莉 |
| 地址： | 830011 新疆維吾爾*** | 國省代碼： | 新疆;65 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 不同 cmos 圖像傳感器 像素 單元 容量 影響 仿真 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種不同光強對CMOS圖像傳感器像素單元滿阱容量影響的仿真方法，其特征在于按下列步驟進行：
a、在CMOS圖像傳感器像素單元曝光階段開始之前，對鉗位光電二極管進行復位，設置傳輸柵柵壓為0V，使光電二極管處于積累狀態；
b、在TCAD軟件仿真環境中采用準直光源入射，調用TCAD軟件中的Ray Tracing 光注入模型，實現光產生過程的模擬；
c、設置固定光強，采用瞬態模擬，提取鉗位光電二極管中的光生載流子數目隨積分時間的變化曲線，獲得滿阱容量；
d、改變光強，重復步驟c， 直到滿阱容量與前一次光強條件下的滿阱容量相同時，停止提取鉗位光電二極管中的光生載流子數目隨積分時間的變化曲線，即得到不同光強對CMOS圖像傳感器像素單元滿阱容量影響的模擬。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院新疆理化技術研究所，未經中國科學院新疆理化技術研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210538335.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種混凝土制品混色系統及其控制方法
- 下一篇：一種空分放空氣回收利用系統
