[發明專利]一種提高快恢復二極管抗靜電能力的方法在審
| 申請號： | 202210536682.2 | 申請日： | 2022-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN114927420A | 公開（公告）日： | 2022-08-19 |
| 發明（設計）人： | 王健;李照;侯斌;楊曉文;黃山圃;胡長青;王英民 | 申請（專利權）人： | 西安微電子技術研究所 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329;H01L23/60;H01L21/768;H01L29/167 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 姚詠華 |
| 地址： | 710000 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 恢復 二極管 抗靜電 能力 方法 | ||
1.一種提高快恢復二極管抗靜電能力的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、在N型硅襯底上形成N型外延層，對硅N型外延層的介質層(3)進行光刻，光刻后的介質層(3)通過腐蝕或刻蝕方法形成主結區(2)和終端區(1)；其中，所述主結區(2)有抗靜電孔；
S2、在所述主結區(2)和所述終端區(1)內進行P型離子注入和高溫退火，形成P型摻雜區(4)和P型介質層(5)；
S3、對所述P型介質層(5)通過光刻和刻蝕形成接觸孔區(6)，在N型硅襯底的背面形成鉑層后，鉑層在高溫下退火形成鉑摻雜區(7)；
S4、腐蝕掉N型硅襯底背面多余的鉑層，在N型硅襯底的正面沉淀或蒸發金屬，并在光刻、腐蝕后通過退火形成陽極(8)；在N型硅襯底的背面進行淀積形成陰極(9)，得到具有抗靜電能力的快恢復二極管。
2.根據權利要求1所述的提高快恢復二極管抗靜電能力的方法，其特征在于，在N型外延層表面通過氧化或沉淀形成介質層(3)；介質層(3)為SiO2層。
3.根據權利要求1所述的提高快恢復二極管抗靜電能力的方法，其特征在于，N型硅襯底的電阻率在0.001Ω˙cm～0.004Ω˙cm。
4.根據權利要求1所述的提高快恢復二極管抗靜電能力的方法，其特征在于，N型外延層的電阻率在5Ω˙cm～6Ω˙cm。
5.根據權利要求1所述的提高快恢復二極管抗靜電能力的方法，其特征在于，主結區(2)面積為2900μm×2900μm。
6.根據權利要求1所述的提高快恢復二極管抗靜電能力的方法，其特征在于，抗靜電孔為8個，抗靜電孔尺寸為453μm×453μm。
7.根據權利要求1所述的提高快恢復二極管抗靜電能力的方法，其特征在于，P型離子注入的雜質為硼，注入能量在50keV-90keV，注入劑量在每平方厘米1E14個-1E16個。
8.根據權利要求1所述的提高快恢復二極管抗靜電能力的方法，其特征在于，蒸鉑厚度為30±3nm。
9.根據權利要求1所述的提高快恢復二極管抗靜電能力的方法，其特征在于，所述陽極(5)的金屬為AL。
10.根據權利要求1所述的提高快恢復二極管抗靜電能力的方法，其特征在于，陰極(8)的金屬為Cr、Ni或Au。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
