[發明專利]高頻諧振變換器中整流管的驅動電路

在審

• 申請號: 202210535913.8
• 申請日: 2022-05-17
• 公開（公告）號: CN114915192A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 肖斌
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217;H02M1/088;H02M1/36;H02M1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

公開了一種用于整流管的驅動電路。其中整流管具有漏端、源端和柵端，整流管的漏端和源端之間的電壓為漏源檢測電壓。驅動電路包括導通控制電路，調節電路和關斷控制電路。導通控制電路接收漏源檢測電壓和導通閾值電壓并根據漏源檢測電壓和導通閾值電壓控制整流管的導通，當漏源檢測電壓小于導通閾值電壓時，整流管導通。調節電路接收漏源檢測電壓和正向閾值電壓并根據漏源檢測電壓和正向閾值電壓控制整流管的柵源電壓，當漏源檢測電壓大于正向閾值電壓時，整流管的柵源電壓以階梯形式減小。關斷控制電路，接收漏源檢測電壓和關斷閾值電壓并根據漏源檢測電壓和關斷閾值電壓控制整流管的關斷，當漏源檢測電壓大于關斷閾值電壓時，整流管關斷。

技術領域

本發明涉及電子電路，更具體地，涉及諧振變換器中整流管的驅動電路。

背景技術

在現有諧振變換器中，通常采用MOSFET作為整流管，并對MOSFET的漏源電壓進行采樣以控制MOSFET的導通和關斷，從而保證諧振變換器的高效工作。

通常情況下，在MOSFET導通后，若MOSFET的漏源電壓增加到正向閾值電壓時，會降低MOSFET的柵源電壓，使得MOSFET的導通電阻增大，此時即使流過MOSFET的電流比較小，MOSFET的源漏電壓也可以保持不變，當流過MOSFET的電流進一步減小使得源漏電壓反向增加到關斷閾值電壓時，MOSFET關斷。隨著諧振變換器工作頻率的增加，在開關管的漏源電壓增加到正向閾值電壓時，如何快速降低MOSFET的柵源電壓，同時不會導致MOSFET漏源電壓有過大的擾動，從而出現誤關斷的情況，現有的采用誤差放大器降低MOSFET的柵源電壓，由于誤差放大器的反應時間比較慢，無法實現快速降低MOSFET的柵源電壓。

因此，需要一種整流管的驅動電路，該驅動電路在快速的降低整流管的柵源電壓的同時，整流管的漏源電壓擾動較小。

發明內容

本發明一實施例提出了一種整流管的驅動電路，所述整流管具有漏端、源端和柵端，所述整流管的漏端和源端之間的電壓為漏源檢測電壓，所述驅動電路包括：導通控制電路，接收漏源檢測電壓和導通閾值電壓并根據漏源檢測電壓和導通閾值電壓控制整流管的導通，其中當漏源檢測電壓小于導通閾值電壓時，整流管導通；調節電路，接收漏源檢測電壓和正向閾值電壓并根據漏源檢測電壓和正向閾值電壓控制整流管的柵源電壓，其中當漏源檢測電壓大于正向閾值電壓時，整流管的柵源電壓以階梯形式減小；以及關斷控制電路，接收漏源檢測電壓和關斷閾值電壓并根據漏源檢測電壓和關斷閾值電壓控制整流管的關斷，其中當漏源檢測電壓大于關斷閾值電壓時，整流管關斷。

本發明一實施例提出了一種整流管的驅動電路，所述整流管具有漏端、源端和柵端，所述驅動電路包括：檢測電路，檢測整流管漏端和源端的電壓并生成漏源檢測電壓；導通控制電路，接收漏源檢測電壓和導通閾值電壓并根據漏源檢測電壓和導通閾值電壓控制整流管的導通，其中當漏源檢測電壓小于導通閾值電壓時，整流管導通；調節電路，接收漏源檢測電壓和正向閾值電壓并根據漏源檢測電壓和正向閾值電壓控制整流管的柵源電壓，其中當漏源檢測電壓大于正向閾值電壓時，整流管的柵源電壓以階梯形式減小；以及關斷控制電路，接收漏源檢測電壓和關斷閾值電壓并根據漏源檢測電壓和關斷閾值電壓控制整流管的關斷，其中當漏源檢測電壓大于關斷閾值電壓時，整流管關斷。

根據本發明提供的整流管的驅動電路，當整流管的漏源電壓增加到正向閾值電壓時，可以快速的降低整流管的柵源電壓，且不會導致整流管漏源電壓的劇烈抖動。

附圖說明

為了更好的理解本發明，將根據以下附圖對本發明的實施例進行描述，這些附圖僅用于示例。附圖通常僅示出實施例中的部分特征，并且附圖不一定是按比例繪制的。

圖1給出了根據本發明一實施例的諧振變換器100的電路結構圖。

圖2給出了根據本發明一實施例的用于驅動整流管SR的驅動電路200的電路結構圖。

圖3給出了根據本發明一實施例的調節電路21的電路結構示意圖。