[發明專利]高精度非易失可調電阻及其制備方法在審
| 申請號： | 202210522404.1 | 申請日： | 2022-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN114864817A | 公開（公告）日： | 2022-08-05 |
| 發明（設計）人： | 朱兆瑋;黃麗婷;高陽 | 申請（專利權）人： | 中國農業大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 蘇州三英知識產權代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 100000 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高精度 非易失 可調 電阻 及其 制備 方法 | ||
1.一種高精度非易失可調電阻，其特征在于，所述可調電阻包括襯底、位于襯底上的絕緣層、位于絕緣層上的異質結結構、及位于異質結上的電極，所述異質結包括位于絕緣層上的電阻層及位于電阻層上的相變材料層，通過調控相變材料層中相變，連續調控電阻層的電導率，從而實現電阻的高精度調控。
2.根據權利要求1所述的高精度非易失可調電阻，其特征在于，所述襯底為硅襯底；和/或，所述絕緣層為氧化硅層。
3.根據權利要求1所述的高精度非易失可調電阻，其特征在于，所述電阻層為石墨烯層；和/或，所述相變材料層為GST層。
4.根據權利要求1所述的高精度非易失可調電阻，其特征在于，所述相變材料層中的相變通過脈沖激光進行調控，包括：
通過第一脈沖激光照射相變材料層，將相變材料由晶態調控為非晶態；
通過第二脈沖激光照射相變材料層，將相變材料由非晶態調控為晶態；
其中，第一脈沖激光的能量大于第二脈沖激光的能量，第一脈沖激光的脈沖寬度小于第二脈沖激光的脈沖寬度。
5.根據權利要求1所述的高精度非易失可調電阻，其特征在于，所述相變材料層上電性連接有若干控制電極。
6.根據權利要求5所述的高精度非易失可調電阻，其特征在于，所述相變材料層中的相變通過電脈沖進行調控，包括：
于控制電極上施加第一電脈沖，將相變材料由晶態調控為非晶態；
于控制電極上施加第二電脈沖，將相變材料由非晶態調控為晶態；
其中，第一電脈沖的能量大于第二電脈沖的能量，第一電脈沖的脈沖寬度小于第二電脈沖的脈沖寬度。
7.一種高精度非易失可調電阻的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供一襯底；
在襯底上制備絕緣層；
在絕緣層上制備電阻層；
在電阻層上制備電極；
在電阻層上制備相變材料層；
所述電阻層和相變材料層形成異質結結構，通過調控相變材料層中相變，連續調控電阻層的電導率，從而實現電阻的高精度調控。
8.根據權利要求7所述的高精度非易失可調電阻，其特征在于，所述制備方法還包括：
在相變材料層上制備控制電極。
9.根據權利要求7所述的高精度非易失可調電阻，其特征在于，所述襯底為硅襯底；和/或，所述絕緣層為氧化硅層。
10.根據權利要求7所述的高精度非易失可調電阻，其特征在于，所述電阻層為石墨烯層，石墨烯層通過轉移工藝進行制備；和/或，所述相變材料層為GST層。
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