[發(fā)明專利]顯示面板和顯示面板的制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210514974.6 | 申請(qǐng)日: | 2022-05-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114883372A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝超雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/32;H01L23/544 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 黃舒悅 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 制作方法 | ||
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示面板和顯示面板的制作方法,其中,顯示面板包括顯示區(qū)和圍繞顯示區(qū)設(shè)置的非顯示區(qū),顯示面板包括:基板;多個(gè)標(biāo)記結(jié)構(gòu)設(shè)置在非顯示區(qū),標(biāo)記結(jié)構(gòu)包括遮光層和氧化銦鎵鋅層,遮光層設(shè)置在基板上,遮光層設(shè)置有鏤空結(jié)構(gòu);氧化銦鎵鋅層具有導(dǎo)電性,氧化銦鎵鋅層包括連接的第一部分和第二部分,第一部分設(shè)置在遮光層遠(yuǎn)離基板的一側(cè),第二部分對(duì)應(yīng)鏤空結(jié)構(gòu)設(shè)置,且第二部分至少部分設(shè)置在鏤空結(jié)構(gòu)內(nèi),第二部分遠(yuǎn)離基板的表面低于第一部分遠(yuǎn)離基板的表面。通過(guò)在遮光層上單獨(dú)制作鏤空結(jié)構(gòu),在氧化銦鎵鋅層上單獨(dú)制作第二部分,相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),既可以滿足顯示面板根據(jù)標(biāo)記結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)位,又不影響陽(yáng)極與ITO同時(shí)成膜的制程。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示領(lǐng)域,特別涉及一種顯示面板和顯示面板的制作方法。
背景技術(shù)
在大尺寸面板顯示行業(yè),ATS作為Array基板良率評(píng)價(jià)最關(guān)鍵的設(shè)備,ATS設(shè)備檢測(cè)的好壞至關(guān)重要。該設(shè)備主要利用二次電子對(duì)面板表面電勢(shì)的偵測(cè),從而判斷面板是否有異常。檢測(cè)的大致流程如下:一次對(duì)位、二次對(duì)位、面板加電驅(qū)動(dòng)和二次電子偵測(cè)。其中,二次對(duì)位需要使用特殊的標(biāo)記(mark)設(shè)計(jì),利用二次電子成像進(jìn)行精確的坐標(biāo)定位。
然而,對(duì)于頂發(fā)射大尺寸OLED制程,由于需要制作陽(yáng)極,而ITO制程與陽(yáng)極同時(shí)進(jìn)行成膜制作,所以無(wú)法實(shí)現(xiàn)ITO膜層圖形的單獨(dú)制作,從而導(dǎo)致L Mark成像效果差,無(wú)法正常進(jìn)行對(duì)位。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示面板和顯示面板的制作方法,可以解決顯示面板中LMark成像效果差的問(wèn)題。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示面板,所述顯示面板包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)設(shè)置的非顯示區(qū),所述顯示面板包括:
基板;
多個(gè)標(biāo)記結(jié)構(gòu),所述多個(gè)標(biāo)記結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述非顯示區(qū),所述標(biāo)記結(jié)構(gòu)包括遮光層和氧化銦鎵鋅層,所述遮光層設(shè)置在所述基板上,所述遮光層設(shè)置有鏤空結(jié)構(gòu);所述氧化銦鎵鋅層具有導(dǎo)電性,所述氧化銦鎵鋅層包括連接的第一部分和第二部分,所述第一部分設(shè)置在所述遮光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè),所述第二部分對(duì)應(yīng)所述鏤空結(jié)構(gòu)設(shè)置,且所述第二部分至少部分設(shè)置在所述鏤空結(jié)構(gòu)內(nèi),所述第二部分遠(yuǎn)離所述基板的表面低于所述第一部分遠(yuǎn)離所述基板的表面。
可選的,所述第一部分的厚度小于所述遮光層的厚度。
可選的,所述第二部分的厚度小于或等于所述第一部分的厚度。
可選的,所述顯示面板包括源漏極和陽(yáng)極,所述源漏極設(shè)置在所述氧化銦鎵鋅層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè),所述陽(yáng)極設(shè)置在所述源漏極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。
可選的,所述鏤空結(jié)構(gòu)的形狀為L(zhǎng)形。
可選的,所述鏤空結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述遮光層的中心位置。
可選的,所述氧化銦鎵鋅層的第一部分的厚度小于50nm,所述遮光層的厚度大于50nm。
本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種顯示面板的制作方法,用于制作顯示面板,所述顯示面板包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)設(shè)置的非顯示區(qū),所述制作方法包括:
提供一基板;
在位于所述非顯示區(qū)的所述基板上設(shè)置遮光層,所述遮光層上設(shè)置有鏤空區(qū)域;
在所述遮光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)設(shè)置氧化銦鎵鋅材料,部分所述氧化銦鎵鋅材料凹陷于所述鏤空區(qū)域內(nèi),以使所述氧化銦鎵鋅材料對(duì)應(yīng)所述鏤空區(qū)域形成凹槽;
固化所述氧化銦鎵鋅材料形成氧化銦鎵鋅層;
對(duì)所述氧化銦鎵鋅層進(jìn)行等離子體處理,以使所述氧化銦鎵鋅層導(dǎo)體化。
可選的,所述制作方法還包括:
在所述氧化銦鎵鋅層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)設(shè)置源漏極;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





