[發明專利]顯示面板和顯示面板的制作方法在審
| 申請號: | 202210514974.6 | 申請日: | 2022-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN114883372A | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發明(設計)人: | 謝超雄 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L23/544 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 黃舒悅 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制作方法 | ||
1.一種顯示面板,所述顯示面板包括顯示區和圍繞所述顯示區設置的非顯示區,其特征在于,所述顯示面板包括:
基板;
多個標記結構,所述多個標記結構設置在所述非顯示區,所述標記結構包括遮光層和氧化銦鎵鋅層,所述遮光層設置在所述基板上,所述遮光層設置有鏤空結構;所述氧化銦鎵鋅層具有導電性,所述氧化銦鎵鋅層包括連接的第一部分和第二部分,所述第一部分設置在所述遮光層遠離所述基板的一側,所述第二部分對應所述鏤空結構設置,且所述第二部分至少部分設置在所述鏤空結構內,所述第二部分遠離所述基板的表面低于所述第一部分遠離所述基板的表面。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一部分的厚度小于所述遮光層的厚度。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二部分的厚度小于或等于所述第一部分的厚度。
4.根據權利要求1-3任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括源漏極和陽極,所述源漏極設置在所述氧化銦鎵鋅層遠離所述基板的一側,所述陽極設置在所述源漏極遠離所述基板的一側。
5.根據權利要求1-3任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述鏤空結構的形狀為L形。
6.根據權利要求1-3任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述鏤空結構設置在所述遮光層的中心位置。
7.根據權利要求1-3任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述氧化銦鎵鋅層的第一部分的厚度小于50nm,所述遮光層的厚度大于50nm。
8.一種顯示面板的制作方法,用于制作顯示面板,所述顯示面板包括顯示區和圍繞所述顯示區設置的非顯示區,其特征在于,所述制作方法包括:
提供一基板;
在位于所述非顯示區的所述基板上設置遮光層,所述遮光層上設置有鏤空區域;
在所述遮光層遠離所述基板的一側設置氧化銦鎵鋅材料,部分所述氧化銦鎵鋅材料凹陷于所述鏤空區域內,以使所述氧化銦鎵鋅材料對應所述鏤空區域形成凹槽;
固化所述氧化銦鎵鋅材料形成氧化銦鎵鋅層;
對所述氧化銦鎵鋅層進行等離子體處理,以使所述氧化銦鎵鋅層導體化。
9.根據權利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法還包括:
在所述氧化銦鎵鋅層遠離所述基板的一側設置源漏極;
在所述源漏極遠離所述基板的一側設置陽極。
10.根據權利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述氧化銦鎵鋅層的厚度小于所述遮光層的厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





