[發明專利]顯示裝置及顯示裝置的制造方法在審
| 申請號： | 202210497547.1 | 申請日： | 2022-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN115643778A | 公開（公告）日： | 2023-01-24 |
| 發明（設計）人： | 徐宗吾;金長玄;鄭在祐;崔鍾勳 | 申請（專利權）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H10K59/123 | 分類號： | H10K59/123 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 習瑞恒;全振永 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置，包括：
基板；
半導體層，布置于所述基板上，并且包括第一晶體管的溝道及第二晶體管的溝道；
第一絕緣層，布置于所述半導體層上；以及
第一導電層，布置于所述第一絕緣層上，并且包括所述第一晶體管的柵極電極及所述第二晶體管的柵極電極，
其中，所述第一晶體管的所述溝道及所述第二晶體管的所述溝道包括第一雜質離子，
所述第一晶體管的所述溝道還包括與所述第一雜質離子不同的第二雜質離子。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，
所述第一雜質離子包括III族元素，所述第二雜質離子包括V族元素。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中，
所述第一雜質離子包括硼，所述第二雜質離子包括磷。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，
所述第一雜質離子包括V族元素，所述第二雜質離子包括III族元素。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置，其中，
所述第一雜質離子包括磷，所述第二雜質離子包括硼。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中，
所述第二晶體管的所述溝道經過氫等離子體處理。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置，其中，
所述第二晶體管的所述溝道的氫含量大于所述第一晶體管的所述溝道的氫含量。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，
所述第一晶體管還包括第一電極及第二電極，
所述第二晶體管布置于所述第一晶體管的所述第二電極與所述第一晶體管的所述柵極電極之間。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其中，還包括：
第一電源電壓線，與所述第一晶體管的所述第一電極電連接；以及
發光元件，與所述第一晶體管的所述第二電極電連接。
10.一種顯示裝置，包括：
第一電源電壓線；
發光元件；
第一晶體管，包括與所述第一電源電壓線電連接的第一電極、與所述發光元件電連接的第二電極、柵極電極及溝道；以及
第二晶體管，布置于所述第一晶體管的所述第二電極與所述第一晶體管的所述柵極電極之間，并且包括溝道，
其中，所述第一晶體管的所述溝道及所述第二晶體管的所述溝道包括第一雜質離子，
所述第一晶體管的所述溝道還包括與所述第一雜質離子不同的第二雜質離子。
11.根據權利要求10所述的顯示裝置，其中，
所述第一雜質離子包括III族元素，所述第二雜質離子包括V族元素。
12.根據權利要求11所述的顯示裝置，其中，
所述第一雜質離子包括硼，所述第二雜質離子包括磷。
13.根據權利要求10所述的顯示裝置，其中，
所述第一雜質離子包括V族元素，所述第二雜質離子包括III族元素。
14.根據權利要求13所述的顯示裝置，其中，
所述第一雜質離子包括磷，所述第二雜質離子包括硼。
15.根據權利要求10所述的顯示裝置，其中，還包括:
數據線；以及
布置于所述數據線與所述第一晶體管的所述第一電極之間的第三晶體管，
所述第三晶體管包括溝道，所述第三晶體管的所述溝道包括與所述第二晶體管的所述溝道相同的物質。
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