[發明專利]一種熒光屏及其制備方法在審
| 申請號: | 202210482978.0 | 申請日: | 2022-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN114944314A | 公開(公告)日: | 2022-08-26 |
| 發明(設計)人: | 趙健;朱濱;夏忠平 | 申請(專利權)人: | 上海極優威光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01J29/18 | 分類號: | H01J29/18;H01J9/22 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 200082 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 熒光屏 及其 制備 方法 | ||
1.一種熒光屏,其特征在于,所述熒光屏包括:
熒光屏部;
第一結構層,所述第一結構層設置在所述熒光屏部上;
所述第一結構層包括熒光粉層和填充氧化物;所述熒光粉層包括熒光粉和粘接氧化物,所述粘接氧化物用于將所述熒光粉的顆粒與所述熒光屏部表面之間粘接在一起;
所述填充氧化物為無機材料;
至少部分所述填充氧化物填充在所述熒光粉層的內部孔隙中。
2.如權利要求1所述的熒光屏,其特征在于,
所述第一結構層的內部孔隙在平行于所述熒光屏部表面方向上的截面的最大直徑小于1μm。
3.如權利要求2所述的熒光屏,其特征在于,所述第一結構層的內部孔隙在平行于所述熒光屏部表面方向上的截面的最大直徑小于等于50nm。
4.如權利要求1所述的熒光屏,其特征在于,所述熒光粉的顆粒的平均粒徑在1μm-10μm之間,所述填充氧化物的顆粒的平均粒徑在1nm-50nm之間。
5.如權利要求1所述的熒光屏,其特征在于,所述填充氧化物的主要成分的重量百分數大于99.9%;其中,所述填充氧化物的主要成分指的是所述填充氧化物中占比最高的成分。
6.如權利要求5所述的熒光屏,其特征在于,所述填充氧化物的主要成分與所述粘接氧化物的主要成分相同,其中所述粘接氧化物的主要成分指的是所述粘接氧化物中占比最高的成分。
7.如權利要求5所述的熒光屏,其特征在于,所述填充氧化物的主要成分為SiO2或Al2O3。
8.如權利要求1所述的熒光屏,其特征在于,所述熒光屏還包括導電層,所述導電層設置在所述第一結構層上,所述導電層厚度在50nm-100nm之間。
9.如權利要求1所述的熒光屏,其特征在于,所述熒光粉包括以下至少之一:RePO4:Z1、LaP5O14:Z1、CaSO4:Z1、SrSO4:Z1、NaYF4:Z1、LiYF4:Z1、KYF4:Z1、LiLaP4O12:Z1、Y2(SO4)3:Z1、YAlO3:Z1、YF3:Z1;其中Re表示選自Y、La、Lu、Sr、Gd、Sm、Ce中的一種或多種,Z1表示摻雜元素,所述摻雜元素含有選自Nd、Pr、Bi中的一種元素。
10.如權利要求1所述的熒光屏,其特征在于,所述熒光粉包括以下至少之一:RePO4:Z2、LaP5O14:Z2、CaSO4:Z2、SrSO4:Z2、NaYF4:Z2、LiYF4:Z2、KYF4:Z2、LiLaP4O12:Z2、Y2(SO4)3:Z2、YAlO3:Z2、YF3:Z2;其中Re表示選自Y、La、Lu、Sr、Gd、Sm、Ce中的一種或多種,Z2表示摻雜元素,所述摻雜元素含有選自Nd、Pr、Bi中的兩種元素。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海極優威光電科技有限公司,未經上海極優威光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210482978.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:插件編譯及調用方法、裝置、設備及存儲介質
- 下一篇:一種電池箱轉運車





