[發明專利]一種異構多模波導耦合器在審
| 申請號： | 202210470924.2 | 申請日： | 2022-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN114839722A | 公開（公告）日： | 2022-08-02 |
| 發明（設計）人： | 王健;曹曉平 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | G02B6/26 | 分類號： | G02B6/26 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 徐美琳 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 異構多模 波導 耦合器 | ||
1.一種異構多模波導耦合器，其特征在于，包括強導少模光纖和片上多級絕熱倒錐結構，所述強導少模光纖用于一端連接弱導少模光纖，實現過渡耦合，另一端與所述片上多級絕熱倒錐結構進行端面耦合，實現將弱導少模光纖中的多個LP模式直接耦合成片上多模波導中的高階模式；
所述片上多級絕熱倒錐結構由下至上依次包括襯底、掩埋層以及芯層，所述芯層包括多級絕熱倒錐結構和多模波導連接組成的第一芯層以及覆蓋在第一芯層上方的第二芯層。
2.根據權利要求1所述的異構多模波導耦合器，其特征在于，所述第二芯層為橫截面為正方形的波導。
3.根據權利要求2所述的異構多模波導耦合器，其特征在于，所述第二芯層的尺寸在6×6μm2及以下。
4.根據權利要求2所述的異構多模波導耦合器，其特征在于，所述第二芯層的折射率介于第一芯層的多模波導和掩埋層之間。
5.根據權利要求1所述的異構多模波導耦合器，其特征在于，所述多級絕熱倒錐結構由多個具有不同長度以及寬度變化范圍的分段波導組成，通過定義每個分段波導的寬度形成不均勻的寬度變化。
6.根據權利要求1所述的異構多模波導耦合器，其特征在于，所述第一芯層的高度為340nm。
7.根據權利要求1所述的異構多模波導耦合器，其特征在于，所述強導少模光纖和所述弱導少模光纖的纖芯尺寸范圍相同，前者的纖芯與包層具有更大的折射率差。
8.根據權利要求7所述的異構多模波導耦合器，其特征在于，所述強導少模光纖的纖芯包層折射率差大于1％。
9.根據權利要求1所述的異構多模波導耦合器，其特征在于，所述第一芯層材料為硅，第二芯層材料為聚合物、氮氧化硅、富硅氧化物或者氮化硅。
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