[發明專利]光電半導體的結構

在審

• 申請號: 202210426521.8
• 申請日: 2022-04-21
• 公開（公告）號: CN116207113A
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 張怡鳴;吳昭霖;孫梓菀
• 申請（專利權）人: 天光材料科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧

1.一種光電半導體的結構，其特征在于，其包含：

一基板；

一第一電極，其設置于該基板上；

一電極接點，其設置于該基板上，并設于該第一電極的一側；

一半導體層，其設置于該第一電極及該電極接點的上方，該半導體層包含一第一界面層以及一光活性層，該光活性層覆設于第一界面層上，該第一界面層一側覆設于該第一電極及該電極接點上；以及

一第二電極，其覆設于該半導體層上；

其中，當該光活性層吸收一光源產生一激子后，該激子分離為一第一載子跟一第二載子，該第一載子透過該第一界面層傳遞至該第一電極，進一步，該第二載子透過一穿隧效應直接由該第二電極傳遞至該電極接點。

2.如權利要求1所述的光電半導體的結構，其特征在于，其中該基板為硅基板、聚酰亞胺基版、玻璃基板、聚苯二甲酸乙二酯基板、聚對苯二甲酸乙二醇酯基板、藍寶石基板、石英基板或陶瓷基板，該第一電極為金屬氧化物、金屬或合金。

3.如權利要求1所述的光電半導體的結構，其特征在于，其中該電極接點為金屬氧化物、金屬或合金。

4.如權利要求1所述的光電半導體的結構，其特征在于，其中該半導體層布滿于該第一電極及該電極接點的周圍。

5.如權利要求1所述的光電半導體的結構，其特征在于，其中該第一界面層為金屬氧化物，金屬化合物、無機半導體薄膜、碳基薄膜、有機半導體、有機絕緣體材料，該第一界面層具有一第一厚度，該第一厚度為1?nm至99?nm。

6.如權利要求1所述的光電半導體的結構，其特征在于，其中該光活性層的一能隙為1.1至2?eV。

7.如權利要求1所述的光電半導體的結構，其特征在于，其中該光活性層具有一第二厚度，該第二厚度介于1?nm至2000?nm。

8.如權利要求1所述的光電半導體的結構，其特征在于，其中該第二電極為金屬氧化物、金屬、導電高分子、碳基導體、金屬化合物，或由上述材料交替組成的導電薄膜。

9.如權利要求1所述的光電半導體的結構，其特征在于，其中該半導體層更包含一第二界面層，其設置于該光活性層的上方，該光活性層夾設于該第一界面層及該第二界面層之間。

10.如權利要求9所述的光電半導體的結構，其特征在于，其中該第二界面層為金屬氧化物，金屬化合物、無機半導體薄膜、碳基薄膜、有機半導體、有機絕緣體材料，該第二界面層具有一第三厚度，該第三厚度為1?nm至99?nm。