[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210389724.4 | 申請日: | 2022-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN114967256A | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張立志;黃世帥;胡云欽;鄭浩旋 | 申請(專利權)人: | 滁州惠科光電科技有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 陳婷 |
| 地址: | 239000 安徽省滁*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括:
第一金屬層,設有掃描線;
第二金屬層,設有數(shù)據(jù)線,與所述掃描線交叉設置,形成第一交疊區(qū)域,其特征在于,所述掃描線在所述第一交疊區(qū)域的寬度小于所述掃描線的其它區(qū)域的寬度和/或所述數(shù)據(jù)線在所述第一交疊區(qū)域的寬度小于所述數(shù)據(jù)線的其它區(qū)域的寬度;
絕緣層,設置在所述第一金屬層及所述第二金屬層之間。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一金屬層進一步設有公共電極線,所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線交叉設置,且形成有第二交疊區(qū)域,所述公共電極線在所述第二交疊區(qū)域的寬度小于所述公共電極線的其它區(qū)域的寬度和/或所述數(shù)據(jù)線在所述第二交疊區(qū)域的寬度小于所述數(shù)據(jù)線的其它區(qū)域的寬度。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,所述第二金屬層進一步設有第一漏電極及第一源電極,所述第一漏電極與所述掃描線電連接,所述第一源電極與所述陣列基板的公共電極線連接;
其中,所述第一源電極呈U字型設置,圍繞在所述第一漏電極的外周,以縮小所述第一漏電極的面積。
4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,進一步包括:
有源層,設置在所述絕緣層與所述第一金屬層之間,所述有源層設有第一漏極區(qū)及第一源極區(qū),其中,所述第一源極區(qū)呈U字型設置,圍繞在所述第一漏極區(qū)的外周。
5.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,
所述掃描線的其它區(qū)域的寬度和/或所述數(shù)據(jù)線的其它區(qū)域的寬度為所述第一交疊區(qū)域的寬度的3.5至4.5倍;
所述公共電極線的其它區(qū)域的寬度和/或所述數(shù)據(jù)線的其它區(qū)域的寬度為所述第二交疊區(qū)域的寬度的1.5至2.5倍。
6.一種陣列基板,包括:
第一金屬層,設有掃描線及公共電極線;
第二金屬層,設有數(shù)據(jù)線、第一源電極及第一漏電極,所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線交叉設置,其特征在于,所述第一漏電極與所述掃描線連接,所述第一源電極與所述公共電極線連接;
絕緣層,設置在所述第一金屬層及所述第二金屬層之間;
其中,所述第一源電極呈U字型設置,圍繞在所述第一漏電極的外周,以縮小所述第一漏電極的面積。
7.根據(jù)權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,進一步包括:
有源層,設置在所述絕緣層與所述第二金屬層之間,所述有源層設有第一漏極區(qū)及第一源極區(qū),其中,所述第一源極區(qū)呈U字型設置,圍繞在所述第一漏極區(qū)的外周。
8.根據(jù)權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述公共電極線包括主公共電極線及次公共電極線,所述第二金屬層設有兩個所述第一源電極及兩個所述第一漏電極,一所述第一漏電極與所述掃描線連接,一所述第一源電極與所述主公共電極線連接;另一所述第一漏電極與所述掃描線連接,另一所述第一源電極與所述次公共電極線連接;
所述第一金屬層進一步設有第二源電極及第二漏電極,所述第二源電極與一所述第一源電極連接,第二漏電極與所述主公共電極線及所述次公共電極線連接。
9.一種顯示面板,其特征在于,包括彩膜基板、液晶層和如權利要求1至8任一項所述的陣列基板。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括處理器及權利要求9所述的顯示面板。
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