[發(fā)明專利]一種低溫漂遲滯比較器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210379523.6 | 申請(qǐng)日: | 2022-04-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114675705A | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃東;邢向明;馮奕;唐茂潔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中科芯集成電路有限公司 |
| 主分類號(hào): | G05F1/567 | 分類號(hào): | G05F1/567 |
| 代理公司: | 無錫派爾特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 楊立秋 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市濱湖區(qū)蠡*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 低溫 遲滯 比較 | ||
本發(fā)明公開一種低溫漂遲滯比較器,屬于模擬電路領(lǐng)域。所述低溫漂遲滯比較器包括補(bǔ)償電流產(chǎn)生模塊和內(nèi)部遲滯比較模塊;所述補(bǔ)償電流產(chǎn)生模塊產(chǎn)生受工藝影響的補(bǔ)償電流,將該模塊產(chǎn)生的補(bǔ)償電流提供給所述內(nèi)部遲滯比較模塊,所述內(nèi)部遲滯比較模塊能在實(shí)現(xiàn)遲滯傳輸特性的基礎(chǔ)上,通過模塊之間配合實(shí)現(xiàn)一種受工藝和溫度影響低的低溫漂遲滯比較器,針對(duì)寬溫度范圍的應(yīng)用場(chǎng)景也能保證遲滯比較器的精確度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及模擬電路技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種低溫漂遲滯比較器。
背景技術(shù)
使用一般比較器會(huì)出現(xiàn)在閾值點(diǎn)附近,由于噪聲的影響會(huì)出現(xiàn)輸出電平誤觸發(fā)現(xiàn)象。為應(yīng)對(duì)噪聲問題,使用遲滯比較器特有的傳輸特性,輸出電壓翻轉(zhuǎn)時(shí),此時(shí)輸入電壓對(duì)應(yīng)有不同的正轉(zhuǎn)折點(diǎn)電壓和負(fù)轉(zhuǎn)折點(diǎn)電壓,通過遲滯比較器輸出輸入的雙穩(wěn)態(tài)特性,可以很好解決一般比較器出現(xiàn)輸出電平誤觸發(fā)問題。
傳統(tǒng)的遲滯比較器受工藝參數(shù)和溫度影響較大,尤其在應(yīng)用場(chǎng)景溫度變化較大,工藝制程中工藝參數(shù)的影響較大時(shí),常常會(huì)出現(xiàn)輸入的正轉(zhuǎn)折點(diǎn)電壓或負(fù)轉(zhuǎn)折點(diǎn)電壓電平移位的現(xiàn)象,影響遲滯比較器的精確度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種低溫漂遲滯比較器,以解決傳統(tǒng)遲滯比較器中受工藝和溫度影響而精確度降低的問題。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種低溫漂遲滯比較器,包括補(bǔ)償電流產(chǎn)生模塊和內(nèi)部遲滯比較模塊,
所述補(bǔ)償電流產(chǎn)生模塊產(chǎn)生電流提供給所述內(nèi)部遲滯比較模塊;
所述內(nèi)部遲滯比較模塊實(shí)現(xiàn)輸出電壓的遲滯輸出特性,降低受溫度的影響。
可選的,所述補(bǔ)償電流產(chǎn)生模塊包括NMOS管MN1~MN4、PMOS管MP5~MP10、輸入端電壓V1和V2、運(yùn)算放大器AMP1和AMP2;
運(yùn)算放大器AMP1的正輸入端連接輸入端電壓V1,負(fù)輸入端連接NMOS管MN1的漏端,輸出端連接PMOS管MP5的柵端;NMOS管MN1的漏端連接PMOS管MP5的漏端,柵端連接輸入端電壓V2;PMOS管MP5的源端連接PMOS管MP7的漏端;PMOS管MP7的柵端接自身漏端;PMOS管MP8的柵端連接PMOS管MP7的柵端,漏端連接NMOS管MN3的漏端;NMOS管MN3的柵端與NMOS管MN4的柵端連接;
運(yùn)算放大器AMP2的正輸入端連接相同的輸入端電壓V1,負(fù)輸入端連接NMOS管MN2的漏端,輸出端連接PMOS管MP6的柵端;NMOS管MN2的漏端連接PMOS管MP6的漏端,柵端連接相同的輸入端電壓V2;PMOS管MP6的源端連接PMOS管MP10的漏端;PMOS管MP10的柵端接自身漏端;PMOS管MP9的柵端連接PMOS管MP10的柵端,漏端連接NMOS管MN4的漏端;NMOS管MN4的柵端連接自身漏端。
可選的,所述NMOS管MN1~MN4的源端均接地;所述PMOS管MP7~MP10的源端均連接電源電壓VDD。
可選的,所述內(nèi)部遲滯比較模塊包括NMOS管MN11~MN16、PMOS管MP17~MP22;
NMOS管MN11的漏端和柵端均接入所述補(bǔ)償電流產(chǎn)生模塊輸出的補(bǔ)償電流I1;NMOS管MN12的柵端連接NMOS管MN11的柵端,漏端連接NMOS管MN15的源端和NMOS管MN16的源端;NMOS管MN13的漏端連接PMOS管MP17的漏端,柵端接其自身漏端;NMOS管MN14的漏端接PMOS管MP22的漏端,柵端接NMOS管MN13的柵端;NMOS管MN15的柵端連接參考電壓VREF,漏端連接PMOS管MP20的漏端;NMOS管MN16的柵端連接輸入電壓VIN,漏端連接PMOS管MP19的漏端;
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