[發明專利]一種應力硅及其制備方法與半導體元件

在審

• 申請號: 202210360983.4
• 申請日: 2022-04-07
• 公開（公告）號: CN114883188A
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 崔積適
• 申請（專利權）人: 三明學院
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/324;H01L29/16
• 代理公司: 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙) 35222
• 代理人: 邱明惠

1.一種應力硅的制備方法，其特征在于，所述方法包含以下步驟：

在提供的硅襯底上刻蝕V型狹縫凹槽；

對所述硅襯底施加應力使其變成弧形硅襯底，且使得所述V型狹縫凹槽兩側貼在一起；

退火處理貼在一起的所述V型狹縫凹槽，直至所述V型狹縫凹槽處的硅處于熔融狀態；

將所述V型狹縫凹槽兩側的硅融化后重新結晶，并形成共價鍵；

冷卻到室溫后，去除施加的應力；

將所述硅襯底恢復為平整狀態，所述V型狹縫凹槽兩側因硅重新結晶形成共價鍵而連接在一起，從而在所述V型狹縫凹槽附近形成拉應力。

2.根據權利要求1所述的應力硅的制備方法，其特征在于，所述刻蝕為濕法刻蝕或干法刻蝕。

3.根據權利要求1所述的應力硅的制備方法，其特征在于，所述退火處理為激光退火處理。

4.根據權利要求1所述的應力硅的制備方法，其特征在于，所述V型狹縫凹槽設置在所述硅襯底邊側的中間位置。

5.根據權利要求1所述的應力硅的制備方法，其特征在于，所述V型狹縫凹槽處的拉應力會產生一定的形變。

6.一種應力硅，其特征在于，采用如權利要求1至5任意一項所述的制備方法制備得到。

7.根據權利要求6所述的應力硅，其特征在于，所述應力硅能夠吸收覆蓋C波段。

8.一種半導體元件，其特征在于，包括如權利要求6所述的應力硅。