[發明專利]芯片掉電保護方法、裝置、芯片及存儲介質

在審

• 申請號: 202210360287.3
• 申請日: 2022-04-06
• 公開（公告）號: CN114783494A
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 石浩
• 申請（專利權）人: 上海美仁半導體有限公司
• 主分類號: G11C16/30
• 分類號: G11C16/30;G11C16/34
• 代理公司: 北京勵誠知識產權代理有限公司 11647
• 代理人: 高楊麗

本發明公開了一種芯片掉電保護方法、裝置、芯片及存儲介質。其中，芯片掉電保護方法包括：通過AD采集通道采集芯片的內部基準電壓AD值；在根據內部基準電壓AD值確定芯片的供電電壓小于第一預設電壓時，控制芯片執行掉電記憶操作，并在根據內部基準電壓AD值確定芯片的供電電壓小于第二預設電壓時，控制芯片執行復位操作。由此，該芯片掉電保護方法通過采集芯片內部基準電壓的AD值，并根據采集到的AD值確定出芯片的供電電壓，再將該供電電壓與預設電壓進行比較以判定是否需要觸發芯片復位或者啟動芯片掉電記憶操作，從而能夠防止對Flash上的數據進行頻繁擦寫，提高芯片的使用壽命，同時降低芯片掉電保護的控制成本。

技術領域

本發明涉及數據存儲技術領域，尤其涉及一種芯片掉電保護方法、一種芯片掉電保護裝置、一種芯片和一種計算機可讀存儲介質。

背景技術

電子的發展始終伴隨著芯片技術的不斷更新，當前很多電子產品都有低電壓檢測復位和掉電記憶的需求，很多用戶對芯片的低電壓檢測復位的可靠性提出了比較高的要求，很多應用場景都希望在掉電時能保存掉電前的工作狀態，保證下次上電時可以恢復到掉電前的工作狀態。

在相關技術中，大多數芯片并沒有集成低電壓檢測的功能，用戶在使用時無法開啟低電壓檢測復位操作，也無法確認啟動掉電記憶的時機，為了控制成本，用戶會將掉電記憶的數據保存到芯片的Flash中，而如果頻繁去擦寫Flash保存數據則會嚴重影響芯片的使用壽命，用戶選擇增加一顆低電壓檢測芯片，又額外增加了成本。另外低電壓檢測模塊通過不同分壓比實現，可設置的低電壓檔位一般較少，有些用戶的需求無法滿足。

發明內容

本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此，本發明的一個目的在于提出一種芯片掉電保護方法，該芯片掉電保護方法通過采集芯片內部基準電壓的AD值，并根據采集到的AD值確定出芯片的供電電壓，再將該供電電壓與預設電壓進行比較以判定是否需要觸發芯片復位或者啟動芯片掉電記憶操作，從而能夠防止對Flash上的數據進行頻繁擦寫，提高芯片的使用壽命，同時降低芯片掉電保護的控制成本。

本發明的第二個目的在于提出一種芯片掉電保護裝置。

本發明的第三個目的在于提出一種芯片。

本發明的第四個目的在于提出一種計算機可讀存儲介質。

為達上述目的，本發明第一方面實施例提出了一種芯片掉電保護方法，該芯片包括AD采集通道，該保護方法包括：通過所述AD采集通道采集所述芯片的內部基準電壓AD值；在根據所述內部基準電壓AD值確定所述芯片的供電電壓小于第一預設電壓時，控制所述芯片執行掉電記憶操作，并在根據所述內部基準電壓AD值確定所述芯片的供電電壓小于第二預設電壓時，控制所述芯片執行復位操作，其中，所述第二預設電壓小于所述第一預設電壓。

本發明實施例的芯片掉電保護方法，通過AD采集通道對芯片的內部基準電壓AD值進行采集，根據內部基準電壓AD值確定芯片的供電電壓，并在該供電電壓小于第一預設電壓時，控制芯片執行掉電記憶操作，再根據內部基準電壓AD值確定芯片的供電電壓，在該供電電壓小于第二預設電壓時，控制所述芯片執行復位操作，其中，第二預設電壓要小于第一預設電壓。由此，本發明實施例芯片掉電保護方法通過采集芯片內部基準電壓的AD值，并根據采集到的AD值確定出芯片的供電電壓，再將該供電電壓與預設電壓進行比較以判定是否需要觸發芯片復位或者啟動芯片掉電記憶操作，從而能夠防止頻繁對Flash進行擦寫，提高芯片的使用壽命，同時降低芯片掉電保護的控制成本。

在本發明的一些實施例中，根據所述內部基準電壓AD值確定所述芯片的供電電壓小于第二預設電壓，包括：在連續多個所述內部基準電壓AD值均大于第一預設值時，確定所述芯片的供電電壓小于第二預設電壓。

在本發明的一些實施例中，根據所述內部基準電壓AD值確定所述芯片的供電電壓小于第一預設電壓，包括：在所述內部基準電壓AD值小于等于所述第一預設值、且大于第二預設值時，確定所述芯片的供電電壓小于第一預設電壓。