[發明專利]一種納米粉體改性碳化硅-碳化硼復相陶瓷及其制備方法有效
| 申請號: | 202210336523.8 | 申請日: | 2022-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN114591086B | 公開(公告)日: | 2023-04-14 |
| 發明(設計)人: | 孫孟勇;楊雙燕;張武;高曉菊;李國斌;尹飛;曲俊峰;童鶴;郭敏;欒承華 | 申請(專利權)人: | 中國兵器工業第五二研究所煙臺分所有限責任公司 |
| 主分類號: | C04B35/565 | 分類號: | C04B35/565;C04B35/563;C04B35/622 |
| 代理公司: | 煙臺上禾知識產權代理事務所(普通合伙) 37234 | 代理人: | 申玉娟 |
| 地址: | 264000 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 體改 碳化硅 碳化 硼復相 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了一種納米粉體改性碳化硅?碳化硼復相陶瓷,按照質量百分比計,包括:碳化硅粉體與碳化硼粉體90wt%~98wt%,碳粉1wt%~5wt%,氧化鋯粉體1wt%~5wt%,納米石墨烯粉體1wt%~5wt%;其中,碳化硅粉體與碳化硼粉體的質量比為1:4~4:1;碳化硅粉體包括納米碳化硅粉體與微米碳化硅粉體,納米碳化硅粉體質量為5wt%~20wt%,碳化硼粉體包括納米碳化硼粉體與微米碳化硼粉體,納米碳化硼粉體粉體質量為5wt%~20wt%。本發明還提供了上述復相陶瓷的制備方法,包括步驟:(1)一次納米粉體混合;(2)二次粉體混合;(3)噴霧造粒;(4)壓力成型;(5)預燒結;(6)終燒結。本發明能夠制備得到硬度、強度均得到提高的SiC?B4C復相陶瓷,提高復相陶瓷性能的均勻性,且燒結溫度低,制備效率提高。
技術領域
本發明涉及抗彈陶瓷材料技術領域,特別涉及一種納米粉體改性碳化硅-碳化硼復相陶瓷及其制備方法。
背景技術
隨著裝甲防護領域對防護性能需求的不斷提高,抗彈陶瓷材料的種類也越來越多,目前已經應用的有氧化鋯增韌氧化鋁陶瓷(ZTA)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硅硼陶瓷(B4C),應用裝備主要包括裝甲車輛、直升機、人體防護等。
目前,裝備輕量化的需求使得ZTA陶瓷逐漸被SiC陶瓷替代,又由于B4C較高的價格,使得B4C陶瓷僅應用于直升機防護、人體防護領域,對于需求量最大的裝甲車輛防護應用較少,這嚴重制約了高性能陶瓷在裝甲防護領域的應用。因此,提出了SiC-B4C復相陶瓷,降低密度的同時提高其力學性能。但目前的抗彈陶瓷材料均不能實現抗多發彈的要求,且陶瓷產品性能均一性較差。
如中國發明專利申請(申請號200910098949.9,申請日2009.05.22)公開了一種SiC復相陶瓷密封材料及其制備方法,將碳化硅粉、外摻0.1~1wt%的碳粉、0.1~1wt%的碳化硼粉、0.1~3wt%的PVA粘結劑、0.5~1.5wt%的分散劑加入到去離子水中,經球磨混合后對料漿進行噴霧干燥,對得到的粒粉采用140MPa干壓和200MPa冷等靜壓成型,成型后素坯在2000℃~2100℃高溫燒結,保溫1~1.5小時,燒結得到碳化硅復相陶瓷。
如中國發明專利申請(申請號201810528452.5,申請日2018.05.29)公開了一種SiC-B4C復相陶瓷的制備方法,將5~30wt%碳化硅粉(0.3~0.8μm)、56~90wt%碳化硼粉(0.5~1.0μm)、0.5~5wt%碳粉、0~5wt%硼化鋯粉等其他燒結助劑加入分散劑、粘結劑、溶劑等球磨混合后噴霧造粒;將造粒粉干壓成型后高溫燒結(2050~2250℃),保溫30min~2h,制得SiC-B4C復相陶瓷,抗彎強度400MPa,斷裂韌性5.0MPa·m1/2,維氏硬度26GPa,其終燒結溫度較高,能耗大,效率低,對成本影響較大,且力學性能一般。
如中國發明專利申請(申請號200310107765.7,申請日2003.12.19)公開了碳化物復相陶瓷防彈板材料及其陶瓷防彈板的制造方法,碳化硅和碳化硼的質量比為1:20~20:1,這兩種粉體占總粉體質量的70%~92%,Al-Y系添加劑占5.5%~25%,CeO2或La2O3占0.5%~3%,所述碳化硅-碳化硼復相陶瓷防彈板的制造方法為:將所有粉體按照比例添加后球磨混合,造粒,成型,最后在氬氣氣氛燒結爐中進行高溫燒結,終燒溫度為1750℃~2050℃,保溫4h~8h。
上述現有技術中制備得到的SiC-B4C復相陶瓷的性能并未有較大幅度的提升,硬度低于B4C陶瓷,強度低于SiC陶瓷,且燒結溫度高,效率低,抗彈能力的可靠性較低。
發明內容
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