[發(fā)明專利]三維存儲(chǔ)器及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210329252.3
• 申請(qǐng)日: 2022-03-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114864389A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝景濤;王迪;周文犀;吳林春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/768;H01L23/538;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L29/423
• 代理公司: 北京英思普睿知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 16018
• 代理人: 劉瑩;聶國(guó)斌

1.一種三維存儲(chǔ)器的制備方法，包括：

在疊層結(jié)構(gòu)上形成預(yù)設(shè)孔，其中，所述疊層結(jié)構(gòu)包括交替堆疊的電介質(zhì)層和犧牲層，所述預(yù)設(shè)孔延伸至對(duì)應(yīng)犧牲層并將所述對(duì)應(yīng)犧牲層的一部分暴露；

在所述預(yù)設(shè)孔內(nèi)形成與所述犧牲層的暴露部分連接的預(yù)設(shè)層；

去除所述預(yù)設(shè)層和所述犧牲層的至少部分形成空隙；以及

在所述空隙中填充導(dǎo)電材料，形成彼此連接的導(dǎo)電層和柵極層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述疊層結(jié)構(gòu)包括貫穿有溝道結(jié)構(gòu)的核心區(qū)和貫穿有虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)的虛設(shè)臺(tái)階區(qū)，所述預(yù)設(shè)孔位于所述虛設(shè)臺(tái)階區(qū)內(nèi)，以及

在形成所述空隙之前，所述方法還包括：

形成貫穿所述疊層結(jié)構(gòu)的多條柵線縫隙，其中，所述柵線縫隙中的至少一條由所述核心區(qū)延伸至所述虛設(shè)臺(tái)階區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述犧牲層的至少部分包括犧牲層第一部分和犧牲層第二部分，

其中，所述犧牲層第一部分包括所述犧牲層的位于所述虛設(shè)臺(tái)階區(qū)且靠近所述柵線縫隙的部分，以及所述犧牲層第二部分包括所述犧牲層的位于所述核心區(qū)的部分和所述犧牲層的靠近所述預(yù)設(shè)層的部分，以及

形成所述空隙的步驟包括：

去除所述犧牲層第一部分形成第一空隙；以及

去除所述預(yù)設(shè)層和所述犧牲層第二部分形成第二空隙，所述第一空隙和所述第二空隙彼此連通構(gòu)成所述空隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，在形成所述預(yù)設(shè)層之后，所述犧牲層的暴露部分中與所述預(yù)設(shè)層不連接的剩余部分暴露，所述方法還包括：

去除所述剩余部分，以暴露所述剩余部分下方的電介質(zhì)層的一部分；以及

在去除所述剩余部分后形成的間隙內(nèi)以及所述預(yù)設(shè)孔的剩余空間內(nèi)形成填充層，其中，所述填充層與所述電介質(zhì)層的暴露部分連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，形成所述第一空隙的步驟包括：

在形成所述填充層后，經(jīng)由所述柵線縫隙的位于所述虛設(shè)臺(tái)階區(qū)的部分去除所述犧牲層第一部分并在去除所述犧牲層第一部分后形成的間隙內(nèi)填充第二保護(hù)層；以及

在形成所述第二空隙后，去除位于所述間隙內(nèi)的第二保護(hù)層形成所述第一空隙。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在去除所述犧牲層第一部分之前，所述方法還包括：

形成覆蓋所述填充層、所述預(yù)設(shè)層以及所述柵線縫隙的位于所述核心區(qū)部分的第一保護(hù)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，形成所述第二空隙的步驟包括：

將所述柵線縫隙的位于所述核心區(qū)的部分以及所述預(yù)設(shè)層暴露；以及

經(jīng)由所述柵線縫隙的位于所述核心區(qū)的部分去除所述犧牲層第二部分，并經(jīng)由所述預(yù)設(shè)層暴露的部分去除所述預(yù)設(shè)層，形成所述第二空隙。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，將所述柵線縫隙的位于所述核心區(qū)的部分以及所述預(yù)設(shè)層暴露的步驟包括：

去除所述第一保護(hù)層將所述柵線縫隙和所述預(yù)設(shè)層暴露；以及

在所述柵線縫隙的位于所述虛設(shè)臺(tái)階區(qū)的部分內(nèi)形成所述第二保護(hù)層。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，形成所述導(dǎo)電層和所述柵極層的步驟包括：

在所述第一空隙和所述第二空隙內(nèi)同時(shí)填充導(dǎo)電材料，其中，所述導(dǎo)電材料位于兩層相鄰電介質(zhì)層之間的部分形成所述柵極層，以及所述導(dǎo)電材料位于所述預(yù)設(shè)孔內(nèi)的部分形成所述導(dǎo)電層，

其中，所述兩層相鄰電介質(zhì)層中的一層與所述填充層相連。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸小于所述預(yù)設(shè)孔的關(guān)鍵尺寸。