[發明專利]一種碳化硅晶體的生長方法及生長設備有效
| 申請號： | 202210314813.2 | 申請日： | 2022-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN114411258B | 公開（公告）日： | 2022-07-08 |
| 發明（設計）人： | 薛衛明;馬遠;武雷;潘堯波 | 申請（專利權）人： | 中電化合物半導體有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王積毅 |
| 地址： | 315336 浙江省寧波市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 晶體 生長 方法 設備 | ||
1.一種碳化硅晶體的生長方法，其特征在于，至少包括以下步驟：
將碳化硅升溫，監測碳化硅的溫度；
當碳化硅升溫至預設溫度時，監測蒸發的碳化硅中硅的含量；
當硅含量達到第一預設含量值時，開始降壓成核；
檢測碳化硅生長時，生長界面結晶產生的特定波長的輻射，并記為第一特征輻射；以及
當第一特征輻射與碳化硅所需晶型的特征輻射不一致時，調整第一特征輻射與所需晶型的特征輻射一致；
其中，所述第一預設含量值為0.5%-45%；所述特定波長的范圍為0.01-100μm。
2.根據權利要求1所述的一種碳化硅晶體的生長方法，其特征在于，調整第一特征輻射與所需晶型的特征輻射一致的步驟包括：
根據檢測的第一特征輻射，確定第一特征輻射峰所處的輻射波長的范圍；
根據輻射波長的范圍，獲取晶體生長過程中結晶界面產生的能量變化值；
依據晶體生長過程中結晶界面產生的能量變化，改變晶體生長過程中結晶界面碳化硅晶體或未結晶的氣相碳化硅的總能量，使晶體生長過程中產生的第一特征輻射與所需晶型的特征輻射一致。
3.根據權利要求2所述的一種碳化硅晶體的生長方法，其特征在于，晶體生長過程中結晶界面產生的能量變化值的獲取公式為：
En =hcNA/(λn)；
其中，h是普朗克常數，c是光速，NA是阿伏伽德羅常數，λn為所述輻射波長。
4.根據權利要求1所述的一種碳化硅晶體的生長方法，其特征在于，調整第一特征輻射與所需晶型的特征輻射一致的步驟還包括：對結晶界面碳化硅晶體或未結晶的氣相碳化硅施加額外輻射。
5.根據權利要求4所述的一種碳化硅晶體的生長方法，其特征在于，所述額外輻射為額外電磁波或額外紅外激光。
6.根據權利要求4所述的一種碳化硅晶體的生長方法，其特征在于，當對結晶界面碳化硅晶體或未結晶的氣相碳化硅施加額外輻射后，所述生長方法還包括：當硅含量低于第二預設含量值時，提高壓力，降低溫度至室溫；其中，所述第二預設含量值為0.1%-35%。
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