[發明專利]一種半導體晶圓熱氧化層生成設備

在審

• 申請號: 202210311923.3
• 申請日: 2022-03-28
• 公開（公告）號: CN114892279A
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 王鵬輝;吳禹凡
• 申請（專利權）人: 太原市致科勝工業設計有限公司
• 主分類號: C30B33/00
• 分類號: C30B33/00;C30B33/02;C30B29/06;H01L21/67
• 代理公司: 滄州市宏科專利代理事務所(普通合伙) 13134
• 代理人: 喻慧玲

本發明涉及半導體加工的技術領域，特別是涉及一種半導體晶圓熱氧化層生成設備，包括氧化筒，所述氧化筒開口朝上，所述氧化筒開口上蓋裝有蓋板，所述氧化筒圓周內壁上均勻設置有多根電加熱絲；晶圓本體，所述晶圓本體豎向位于所述氧化筒的中部，所述晶圓本體的前后兩側均設置有轉動機構，所述轉動機構用于帶動晶圓本體轉動；所述轉動機構包括安裝在所述氧化筒側壁上的支撐套，所述支撐套的外端依次設置有弓形支撐板、支撐滑軌和動力輪；該設備可方便使晶圓本體與氧氣均勻全面接觸，有效提高晶圓本體與氧氣的接觸率，方便使晶圓本體表面氧化層厚度均勻，從而提高晶圓本體氧化層加工質量，提高實用性。

技術領域

本發明涉及半導體加工的技術領域，特別是涉及一種半導體晶圓熱氧化層生成設備。

背景技術

眾所周知，半導體晶圓硅片表面的氧化層主要是起到絕緣的作用，從而方便對晶圓上的電子傳輸信號進行保護，避免空氣中的雜質對信號造成干擾，現有晶圓熱氧化層生成設備的工作方式通常是將晶圓放置在高溫爐內進行加熱，然后向爐內通入氧氣，從而使晶圓表面高溫氧化并形成氧化層，然而現有設備在使用時，其內晶圓通常處于靜態氧化狀態，設備通常采用直噴式將氧氣噴射在晶圓表面，氧氣與晶圓的接觸均勻性較差，導致晶圓上氧化層的厚度不一致，導致晶圓氧化層加工質量較差。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供一種半導體晶圓熱氧化層生成設備。

為了達到上述目的，本發明所采用的技術方案是：

半導體晶圓熱氧化層生成設備，包括：

氧化筒，所述氧化筒開口朝上，所述氧化筒開口上蓋裝有蓋板，所述氧化筒圓周內壁上均勻設置有多根電加熱絲；

晶圓本體，所述晶圓本體豎向位于所述氧化筒的中部，所述晶圓本體的前后兩側均設置有轉動機構，所述轉動機構用于帶動晶圓本體轉動；

所述轉動機構包括安裝在所述氧化筒側壁上的支撐套，所述支撐套的外端依次設置有弓形支撐板、支撐滑軌和動力輪，所述支撐滑軌與所述動力輪轉動連接，所述動力輪的外壁與所述晶圓本體的一處側壁接觸，所述動力輪上設置有轉軸，所述轉軸的外端穿過支撐滑軌、支撐套和氧化筒并伸出至所述氧化筒的外側，所述氧化筒的外壁上設置有動力機構，所述動力機構用于帶動轉軸轉動；

所述晶圓本體的另一側壁設置有擠壓機構，所述擠壓機構與所述動力輪分別位于所述晶圓本體的兩側，所述擠壓機構用于推動晶圓本體和動力輪貼緊；

兩個噴頭，兩個噴頭均位于所述氧化筒內，并且所述噴頭的噴口方向與所述晶圓本體的軸線平行，所述噴頭上設置有推動機構，所述推動機構用于推動噴頭上下移動。

進一步地，所述擠壓機構包括轉動安裝在所述氧化筒內側壁上的支撐臂，所述支撐臂的外端轉動設置有擠壓輪，所述擠壓輪的外壁與所述晶圓本體的側壁接觸，所述支撐臂的側壁上轉動設置有第一氣缸，所述第一氣缸的固定端轉動安裝在所述氧化筒的內側壁上；

所述動力機構包括安裝在所述轉軸外端上的第一齒輪，所述氧化筒的外側套設有齒環，所述齒環位于兩個第一齒輪的上側，所述齒環與所述第一齒輪嚙合連接，所述齒環上滑動設置有滑塊，所述滑塊固定在所述氧化筒外壁上，所述氧化筒的外側壁上套設有扣罩，所述扣罩位于第一齒輪、齒環和滑塊的外側，所述扣罩外壁上設置有第一電機，所述第一電機的輸出端與一個第一齒輪的側壁傳動連接。

進一步地，所述推動機構包括兩張安裝板，兩張安裝板均安裝在所述氧化筒的內側壁上，并且兩張安裝板呈豎向排列，兩張安裝板之間設置有第一絲杠和第一導軌，所述第一絲杠與所述安裝板轉動連接，所述第一導軌固定在所述氧化筒的內側壁上，所述第一絲杠的中部螺裝設置有第一螺套，所述噴頭的外壁滑動安裝在所述第一導軌上，所述噴頭固定在所述第一螺套的外壁上；

所述第一絲杠的頂部穿過上側所述安裝板，所述第一絲杠的頂部設置有第二齒輪，所述第二齒輪上設置有傳動機構，所述傳動機構用于帶動第二齒輪轉動。