[發(fā)明專利]半導體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210306031.4 | 申請日： | 2022-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN114883382A | 公開（公告）日： | 2022-08-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 吳旭升;梁英強;尚慧玲 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，包括：
在一基底上方的第一半導體堆疊件，其中多個所述第一半導體堆疊件包括第一半導體層，多個所述第一半導體層彼此分離并且沿著基本上垂直于該基底的一頂面的一方向堆疊；
位于該基底的上方的第二半導體堆疊件，其中該第二半導體堆疊件包括第二半導體層，多個所述第二半導體層彼此分離并且沿著基本上垂直于該基底的該頂面的該方向堆疊；
內部間隔物位于多個所述第一半導體層的邊緣部分之間和位于多個所述第二半導體層的邊緣部分之間；以及
位于該第一半導體堆疊件和該第二半導體堆疊件之間的一塊體源極/漏極部件，其中該塊體源極/漏極部件通過一第一氣隙與該基底分隔開來，并且該塊體源極/漏極部件通過第二氣隙而與多個所述內部間隔物分隔開來。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
