[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202210306008.5 | 申請日： | 2022-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN114883265A | 公開（公告）日： | 2022-08-09 |
| 發明（設計）人： | 陳柏寧;吳旭升;梁品筑;劉昌淼;林士豪 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，包括：
一半導體堆疊，包括多個半導體層位于一基板上，其中多個所述半導體層彼此分開且沿著實質上垂直于該基板的上表面的方向堆疊；
一隔離結構，位于該半導體堆疊的一底部周圍并分開多個有源區；
一金屬柵極結構，位于該半導體堆疊的一通道區上并包覆每一多個所述半導體層；
一柵極間隔物，位于該半導體堆疊的一源極/漏極區上并沿著該金屬柵極結構的頂部的側壁；以及
一內側間隔物，位于該半導體堆疊的該源極/漏極區上并沿著該金屬柵極結構的下側部分的側壁，且包覆每一多個所述半導體層的邊緣部分。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
