[發明專利]三維存儲器及其制備方法、存儲器系統在審
| 申請號: | 202210304537.1 | 申請日: | 2022-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN114725121A | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發明(設計)人: | 陳陽;王迪;張中;周文犀 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/1157 | 分類號: | H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司: | 北京英思普睿知識產權代理有限公司 16018 | 代理人: | 劉瑩;聶國斌 |
| 地址: | 430000 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三維 存儲器 及其 制備 方法 系統 | ||
本申請提供了一種三維存儲器及其制備方法、存儲器系統,該三維存儲器包括:存儲結構,包括沿第一方向設置的第一存儲結構和第二存儲結構;階梯結構,位于第一存儲結構和第二存儲結構之間,包括:橋接結構,沿第一方向延伸,并包括第一部分和位于第一部分兩側的第二部分,第一部分和第二部分均包括上部階梯部分和下部壁部分,第一部分的高度低于第二部分的高度;以及多個階梯對,在不同的高度處沿第一方向設置,并與橋接結構連接。
技術領域
本申請涉及半導體技術領域,更具體地,涉及一種三維存儲器及其制備方法、存儲器系統。
背景技術
在一些三維存儲器中,用于字線引出的階梯結構位于存儲平面(Plane)的中間,能夠使例如行解碼器從存儲平面的中間位置處在相反的方向上雙向地驅動字線,并可通過橋接結構連接分開的字線。然而,隨著三維存儲器的堆疊層數的增加(例如200層以上),形成橋接結構的工藝面臨著挑戰。
發明內容
本申請的實施例提供了一種三維存儲器,該三維存儲器包括:存儲結構,包括沿第一方向設置的第一存儲結構和第二存儲結構;階梯結構,形成于第一存儲結構和第二存儲結構中間,包括:橋接結構,沿第一方向延伸,并包括第一部分和位于第一部分兩側的第二部分,第一部分和第二部分均包括上部階梯部分和下部壁部分,第一部分的高度低于第二部分的高度;以及多個階梯對,在不同的高度處沿第一方向設置,并與橋接結構連接。
在一些實施例中,階梯對中的階梯具有在第一方向上彼此面對的傾斜朝向,階梯包括多個臺階。
在一些實施例中,多個階梯對中與第二部分連接的階梯相對于第一部分對稱分布。
在一些實施例中,多個階梯對中與第一部分連接的至少部分臺階通過下部壁部分與第一存儲結構和第二存儲結構的至少之一電連接。
在一些實施例中,該三維存儲器包括互連結構,互連結構包括互連對;多個階梯對中的一組臺階通過互連對與第一存儲結構和第二存儲結構的至少之一電連接,其中,一組臺階為與第二部分連接的至少部分臺階中,并且一組臺階位于相同的高度處。
在一些實施例中,第一部分的高度為第二部分的高度的一半。
本申請的實施例提供了一種存儲器系統,該存儲器系統包括至少一個如上文中任意實施例所描述的三維存儲器;以及存儲控制器,述三維存儲器電連接,用于控制三維存儲器。
本申請的實施例提供了一種三維存儲器的制備方法,該三維存儲器的制備方法包括:形成沿第一方向設置的第一疊層結構和第二疊層結構;在第一疊層結構和第二疊層結構中間,形成沿第一方向延伸的橋接結構的上部階梯部分和沿第一方向設置的多個階梯對,多個階梯對與橋接結構連接,橋接結構包括第一部分和位于兩側的第二部分;對至少部分多個階梯對中的階梯進行多次第一削減;以及對第一部分和多個階梯對中與其連接的階梯進行第二削減,使得多個階梯對位于不同高度處,且第一部分的高度低于第二部分的高度。
在一些實施例中,對第一部分和多個階梯對中與其連接的階梯進行第二削減之前,制備方法還包括:對第二削減的削減掩膜進行圖案化,以暴露第一部分和多個階梯對中與第一部分連接的階梯。
在一些實施例中,形成沿第一方向延伸的橋接結構的上部階梯部分和沿第一方向設置的多個階梯對包括:通過至少一個階梯掩膜,形成上部階梯部分和多個階梯對。
在一些實施例中,對第一部分和多個階梯對中與其連接的階梯進行第二削減包括:使得第一部分的高度為第二部分的高度的一半。
在一些實施例中,對至少部分多個階梯對中的階梯進行多次第一削減包括:將至少部分多個階梯對中的階梯削減至不同的高度處,并使得多個階梯對中與第二部分連接的階梯相對于第一部分對稱分布。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





