[發明專利]一種晶圓摻氮裝置在審
| 申請號: | 202210303065.8 | 申請日: | 2022-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN114792640A | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發明(設計)人: | 項習飛;田才忠;林保璋;李士昌 | 申請(專利權)人: | 盛吉盛半導體科技(北京)有限公司;盛吉盛(寧波)半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/223 |
| 代理公司: | 北京市競天公誠律師事務所 11770 | 代理人: | 陳果 |
| 地址: | 102600 北京市大興區北京經濟技術開發區榮華南路*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶圓摻氮 裝置 | ||
本發明涉及一種晶圓摻氮裝置,包括襯板、腔體以及抽氣部,襯板設置于腔體的內部并與腔體的底部之間形成空間,抽氣部與該空間連通,襯板上開設有多個通孔,多個通孔被構造成隨著與抽氣部的距離的增加,多個通孔的孔徑增大。本發明能夠提高晶圓摻氮裝置的腔體內的氣壓均衡性。
技術領域
本發明涉及半導體制造技術領域,特別是涉及一種晶圓摻氮裝置。
背景技術
對于現有技術的晶圓摻氮裝置,由于工藝結構的限制,真空泵需要設置在腔體的底部的角落,這樣會導致在抽氣過程中,腔體內的氣體會偏心分布,距離真空泵遠近不同的氣體壓力會有很大不同。現有技術的晶圓摻氮裝置通過增加氣體通過路徑長短來平衡距離真空泵不同區域的氣體壓力,從而達到腔體內氣壓均衡的目的,這種晶圓摻氮裝置的缺點是裝置厚度比較大,細長孔加工難度大并且成本較高,占用腔體的內部空間,維護不方便。
發明內容
本發明的目的在于提供一種晶圓摻氮裝置,以提高晶圓摻氮裝置的腔體內的氣壓均衡性。
本發明的目的是采用以下的技術方案來實現的。依據本發明提出的一種晶圓摻氮裝置,包括襯板、腔體以及抽氣部,所述襯板設置于所述腔體的內部并與所述腔體的底部之間形成空間,所述抽氣部與所述空間連通,所述襯板上開設有多個通孔,多個所述通孔被構造成隨著與所述抽氣部的距離的增加,多個所述通孔的孔徑增大。
在一些實施方式中,多個所述通孔被構造成在所述襯板上以靠近所述抽氣部的襯板的端點為圓心,呈同心圓弧式分布,其中,距離所述圓心越近的所述通孔的孔徑越小,距離所述圓心越遠的所述通孔的孔徑越大,在同一條同心圓弧上的所述通孔的孔徑相同。
在一些實施方式中,所述晶圓摻氮裝置還包括上蓋板,所述上蓋板蓋合于所述腔體的頂部,所述上蓋板上設置有進氣孔,所述進氣孔與所述腔體連通。
在一些實施方式中,所述晶圓摻氮裝置還包括用于放置硅晶圓的載臺,所述載臺設置于所述腔體的內部。
在一些實施方式中,所述晶圓摻氮裝置還包括支柱,所述支柱設置于所述襯板與所述腔體的底部之間,所述支柱的第一端與所述襯板固定連接,所述支柱的第二端與所述腔體的底部固定連接。
在一些實施方式中,所述晶圓摻氮裝置還包括出氣孔,所述出氣孔設置于所述腔體的底部,所述抽氣部通過所述出氣孔與所述空間連通。
本發明的有益效果至少包括:
1、本發明通過將襯板設置于腔體的內部并與腔體的底部之間形成空間、抽氣部與空間連通、襯板上開設有多個通孔、多個通孔被構造成隨著與抽氣部的距離的增加,多個通孔的孔徑增大,從而使得距離抽氣部較近的氣體可以直接通過襯板上孔徑較小的通孔進入抽氣部,距離抽氣部較遠的氣體可以通過襯板上孔徑較大的通孔進入空間,再進入抽氣部,實現了通過設置大小不一樣的通孔,來調節腔體內部的氣體壓力,使距離抽氣部遠近不一的氣體壓力趨于均衡,有利于達到完美的工藝效果。
2、在襯板上開設通孔加工簡單,能顯著降低成本。
上述說明僅是本發明技術方案的概述,為了能更清楚了解本發明的技術手段,而可依照說明書的內容予以實施,并且為讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實施例,并配合附圖,詳細說明如下。
附圖說明
圖1為根據本發明的一種實施方式的晶圓摻氮裝置的立體結構示意圖;
圖2為根據本發明的一種實施方式的晶圓摻氮裝置的平面結構示意圖。
具體實施方式
為更進一步闡述本發明的技術手段,以下結合附圖及較佳實施例,對依據本發明提出的晶圓摻氮裝置的具體實施方式詳細說明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





