[發明專利]一種晶圓摻氮裝置在審
| 申請號: | 202210303065.8 | 申請日: | 2022-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN114792640A | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發明(設計)人: | 項習飛;田才忠;林保璋;李士昌 | 申請(專利權)人: | 盛吉盛半導體科技(北京)有限公司;盛吉盛(寧波)半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/223 |
| 代理公司: | 北京市競天公誠律師事務所 11770 | 代理人: | 陳果 |
| 地址: | 102600 北京市大興區北京經濟技術開發區榮華南路*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶圓摻氮 裝置 | ||
1.一種晶圓摻氮裝置,其特征在于,包括襯板、腔體以及抽氣部,所述襯板設置于所述腔體的內部并與所述腔體的底部之間形成空間,所述抽氣部與所述空間連通,所述襯板上開設有多個通孔,多個所述通孔被構造成隨著與所述抽氣部的距離的增加,多個所述通孔的孔徑增大。
2.根據權利要求1所述的晶圓摻氮裝置,其特征在于,多個所述通孔被構造成在所述襯板上以靠近所述抽氣部的襯板的端點為圓心,呈同心圓弧式分布,其中,距離所述圓心越近的所述通孔的孔徑越小,距離所述圓心越遠的所述通孔的孔徑越大,在同一條同心圓弧上的所述通孔的孔徑相同。
3.根據權利要求1所述的晶圓摻氮裝置,其特征在于,所述晶圓摻氮裝置還包括上蓋板,所述上蓋板蓋合于所述腔體的頂部,所述上蓋板上設置有進氣孔,所述進氣孔與所述腔體連通。
4.根據權利要求1所述的晶圓摻氮裝置,其特征在于,所述晶圓摻氮裝置還包括用于放置硅晶圓的載臺,所述載臺設置于所述腔體的內部。
5.根據權利要求1所述的晶圓摻氮裝置,其特征在于,所述晶圓摻氮裝置還包括支柱,所述支柱設置于所述襯板與所述腔體的底部之間,所述支柱的第一端與所述襯板固定連接,所述支柱的第二端與所述腔體的底部固定連接。
6.根據權利要求1所述的晶圓摻氮裝置,其特征在于,所述晶圓摻氮裝置還包括出氣孔,所述出氣孔設置于所述腔體的底部,所述抽氣部通過所述出氣孔與所述空間連通。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





