[發(fā)明專(zhuān)利]一種插拔硬盤(pán)的方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210302353.1
• 申請(qǐng)日: 2022-03-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114676086A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張君龍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F13/40
• 分類(lèi)號(hào): G06F13/40
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 劉珂

1.一種插拔硬盤(pán)的方法，其特征在于，包括：

檢測(cè)NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件；其中，所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件為預(yù)先注冊(cè)到pciehp中斷上的熱插拔事件，所述NVMe硬盤(pán)支持熱插拔；

通過(guò)所述pciehp中斷將所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件上報(bào)至內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)以便于所述內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)對(duì)所述NVMe硬盤(pán)進(jìn)行熱插拔處理；

將處理后的所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件上報(bào)至用戶(hù)態(tài)驅(qū)動(dòng)以便于所述用戶(hù)態(tài)驅(qū)動(dòng)對(duì)所述NVMe硬盤(pán)進(jìn)行熱插拔處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插拔硬盤(pán)的方法，其特征在于，所述NVMe硬盤(pán)的個(gè)數(shù)為多個(gè)，所述通過(guò)所述pciehp中斷將所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件上報(bào)至內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)包括：

選取目標(biāo)內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)；其中，所述目標(biāo)內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)的個(gè)數(shù)為一個(gè)；

通過(guò)所述pciehp中斷將各所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件上報(bào)至所述目標(biāo)內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的插拔硬盤(pán)的方法，其特征在于，在所述檢測(cè)NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件之前，還包括：

修改所述NVMe硬盤(pán)的上一級(jí)橋片的配置空間以便于上一級(jí)所述橋片的completiontimeout寄存器的值在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的插拔硬盤(pán)的方法，其特征在于，所述通過(guò)所述pciehp中斷將所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件上報(bào)至內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)以便于所述內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)對(duì)所述NVMe硬盤(pán)進(jìn)行熱插拔處理包括：

通過(guò)所述pciehp中斷將所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件上報(bào)至內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)；

通過(guò)所述內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)獲取所述NVMe硬盤(pán)對(duì)應(yīng)的寄存器的狀態(tài)值；

根據(jù)所述寄存器的狀態(tài)值判斷所述NVMe硬盤(pán)是否發(fā)生熱插拔事件；

若是，則通過(guò)所述內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)對(duì)所述NVMe硬盤(pán)進(jìn)行熱插拔處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的插拔硬盤(pán)的方法，其特征在于，所述將處理后的所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件上報(bào)至用戶(hù)態(tài)驅(qū)動(dòng)包括：

通過(guò)Netlink協(xié)議將處理后的所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件上報(bào)至所述用戶(hù)態(tài)驅(qū)動(dòng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的插拔硬盤(pán)的方法，其特征在于，在所述將處理后的所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件上報(bào)至用戶(hù)態(tài)驅(qū)動(dòng)以便于所述用戶(hù)態(tài)驅(qū)動(dòng)對(duì)所述NVMe硬盤(pán)進(jìn)行熱插拔處理之后，還包括：

在所述用戶(hù)態(tài)驅(qū)動(dòng)中添加熱插拔標(biāo)志位。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的插拔硬盤(pán)的方法，其特征在于，所述在所述用戶(hù)態(tài)驅(qū)動(dòng)中添加熱插拔標(biāo)志位之后，還包括：

根據(jù)所述熱插拔標(biāo)志位獲取發(fā)生熱插拔事件的所述NVMe硬盤(pán)；

將發(fā)生熱插拔事件的所述NVMe硬盤(pán)上存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至未發(fā)生熱插拔事件的所述NVMe硬盤(pán)中。

8.一種插拔硬盤(pán)的裝置，其特征在于，包括：

檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件；其中，所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件為預(yù)先注冊(cè)到pciehp中斷上的熱插拔事件，所述NVMe硬盤(pán)支持熱插拔；

第一上報(bào)模塊，用于通過(guò)所述pciehp中斷將所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件上報(bào)至內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)以便于所述內(nèi)核態(tài)驅(qū)動(dòng)對(duì)所述NVMe硬盤(pán)進(jìn)行熱插拔處理；

第二上報(bào)模塊，用于將處理后的所述NVMe硬盤(pán)的熱插拔事件上報(bào)至用戶(hù)態(tài)驅(qū)動(dòng)以便于所述用戶(hù)態(tài)驅(qū)動(dòng)對(duì)所述NVMe硬盤(pán)進(jìn)行熱插拔處理。

9.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：

存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序；

處理器，用于執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的插拔硬盤(pán)的方法的步驟。

10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的插拔硬盤(pán)的方法的步驟。