[發(fā)明專利]一種完全消除襯底輔助耗盡效應(yīng)的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210290824.1
• 申請(qǐng)日: 2022-03-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114613858A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱順威;賈護(hù)軍;張?jiān)品?/a>;王歡;楊銀堂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10
• 代理公司: 西安瀚匯專利代理事務(wù)所(普通合伙) 61279
• 代理人: 章冬霞

1.一種完全消除襯底輔助耗盡效應(yīng)的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，包括P型襯底，所述P型襯底的上方為包含超結(jié)P柱和超結(jié)N柱的超結(jié)，所述P型襯底的右上方為N型緩沖層，所述N型緩沖層的右上方為漏N重?fù)诫s區(qū)，所述漏N重?fù)诫s區(qū)用于使漏電極與N型緩沖層和包含超結(jié)P柱和超結(jié)N柱的超結(jié)形成歐姆接觸，所述P型襯底的左上方為P型重?fù)诫s區(qū)，所述P型重?fù)诫s區(qū)右側(cè)形成P阱，在所述P阱中形成源N型重?fù)诫s區(qū)，源電極、柵電極和漏電極分布在整個(gè)器件的上表面，所述P型重?fù)诫s區(qū)與源電極連接，所述漏N重?fù)诫s區(qū)與漏電極連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述完全消除襯底輔助耗盡效應(yīng)的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，超結(jié)的深度為3μm，超結(jié)N柱和超結(jié)P柱長(zhǎng)度為15-25μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述完全消除襯底輔助耗盡效應(yīng)的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述超結(jié)N柱與超結(jié)P柱的寬度均為0.5μm，超結(jié)N柱的摻雜濃度為3×10¹⁶cm^-3，超結(jié)P柱的摻雜濃度為3×10¹⁶cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述完全消除襯底輔助耗盡效應(yīng)的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述N型緩沖層的長(zhǎng)度為12μm，深度為6μm，摻雜濃度為3×10¹⁵cm^-3。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述完全消除襯底輔助耗盡效應(yīng)的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述P型緩沖層的長(zhǎng)度為6μm，深度為3μm，摻雜濃度為8×10¹⁶cm^-3。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述完全消除襯底輔助耗盡效應(yīng)的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述P型重?fù)诫s區(qū)的長(zhǎng)度為3μm，深度為5μm，摻雜濃度為8×10¹⁶cm^-3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述完全消除襯底輔助耗盡效應(yīng)的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述P阱的深度為3μm，長(zhǎng)度為4μm，在P阱左上方形成源N型重?fù)诫s區(qū)。