[發明專利]薄膜晶體管的制造方法、陣列基板以及顯示裝置在審

申請號：	202210283920.3	申請日：	2022-03-21
公開（公告）號：	CN114664948A	公開（公告）日：	2022-06-24
發明（設計）人：	林濱;席文星;付婉霞;郭航樂;余雪;林增杰	申請（專利權）人：	福州京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
主分類號：	H01L29/786	分類號：	H01L29/786;H01L21/34;C23C14/35;C23C14/58;C23C16/52;C23C16/56;C23C28/04
代理公司：	北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662	代理人：	王衛忠
地址：	350300 福建省***	國省代碼：	福建;35
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摘要：
搜索關鍵詞：	薄膜晶體管制造方法陣列以及顯示裝置
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【說明書】：

本發明涉及顯示設備領域，提供了一種薄膜晶體管的制造方法、陣列基板以及顯示裝置，其中薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成導電薄膜層；對導電薄膜層進行熱處理；控制導電薄膜層的應力位于第一預設范圍之內；在基板上形成絕緣層，絕緣層覆蓋所述導電薄膜層；相比于現有技術，通過控制導電薄膜層的成型方法控制導電薄膜層的應力范圍，從而使導電薄膜層的應力與絕緣層的應力相匹配，避免導電薄膜層和絕緣層之間出現鼓包；本發明還提供了一種陣列基板和顯示裝置；陣列基板包括薄膜晶體管；顯示裝置包括陣列基板；相比于現有技術，由于薄膜晶體管不出現鼓包現象，所以顯示裝置具有更好的顯示效果。

技術領域

本申請涉及顯示設備領域，尤其涉及一種薄膜晶體管的制造方法、陣列基板以及顯示裝置。

背景技術

鎵鋅氧化物(IGZO)以及氧化銦錫(ITO)等透明導電材料為代表的氧化物半導體材料，近年來一直是薄膜晶體管液晶顯示器(LCD)和有機電致發光(AMOLED)顯示器領域的研究熱點?；谄潆娮舆w移率相對較高、漏電流低的特點，IGZO基面板主要應用于高分辨率/低功耗的高端新產品及大尺寸8K高刷新率的TV產品，市場份額不斷提升。

然而，由于IGZO膜層內部本征電子遷移能力強，但也極易受到外界水汽或氫離子的影響，若捕獲氫(H)生成氧空位，也會導致載流子增多，最終會容易使得特性負偏；因此，氧化物薄膜晶體管往往需要致密的氮化硅(SiN)膜質(絕緣層)，使其具備較強的阻擋氫離子的能力；一般氮化硅膜質越致密，其壓應力越大，然而由于透明導電膜層膜質致密，膜層壓應力大，所以在透明導電膜層和容易產生“鼓包”。可以理解的是，薄膜晶體管一般為層狀結構，在薄膜晶體管制造的過程中，層與層之間往往會存在“鼓包”的缺陷，也就是說層與層之間形成多個“空腔”，所述“鼓包”會對晶體管的性能造成不良影響，比如對于應用在顯示裝置中的場效應晶體管，由于在顯示裝置中，由光源發出的光會穿過所述場效應晶體管，如果場效應晶體管的透光區域的層狀結構中出現“鼓包”問題，由于所述“鼓包”區域的折射率和正常區域不同，所以“鼓包”區域會對光的傳播造成影響，從而影響顯示裝置的顯示效果。

具體來說，現有技術中薄膜晶體管中鼓包問題多位于導電膜層和絕緣層之間；由于導電膜層形成之后因為其結晶度低，甚至不結晶的原因，所以現有技術中需要在導電膜層形成后再進行熱處理以提高導電膜層電導率；但是導電膜層在經過長時間的熱處理后其應力會產生變化，從而出現與絕緣層應力不匹配的情況，這樣就會產生嚴重的層間“鼓包”問題。

發明內容

本發明實施例公開了一種薄膜晶體管的制造方法，通過調整導電薄膜和絕緣層的形成工藝，以控制所述導電薄膜層和絕緣層的應力范圍，使所述導電薄膜層和絕緣層形變方向相同，形變弧度相近，從而解決現有技術中導電薄膜層和絕緣層之間出現鼓包的問題。

本發明實施例提供的薄膜晶體管的制造方法，包括以下步驟：

在基板上形成導電薄膜層；

對所述導電薄膜層進行熱處理；控制所述導電薄膜層的應力位于第一預設范圍之內；

在所述基板上形成絕緣層；所述絕緣層覆蓋所述導電薄膜層。

可選的，所述控制所述導電薄膜層2的應力位于第一預設范圍之內包括：

控制所述導電薄膜層的應力位于-200Mpa至100Mpa范圍之內。

可選的，所述對所述導電薄膜層進行熱處理，包括：

所述熱處理的溫度小于250℃。

可選的，所述對所述導電薄膜層進行熱處理，包括：

所述熱處理時間小于60min。