[發(fā)明專利]一種晶圓位置預(yù)對(duì)準(zhǔn)方法、電子設(shè)備及晶圓傳輸系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210282051.2 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114664721A | 公開(公告)日: | 2022-06-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王家林;羅楊;牛巖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京半導(dǎo)體專用設(shè)備研究所(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所) |
| 主分類號(hào): | H01L21/68 | 分類號(hào): | H01L21/68;G06T7/66;G06T7/20 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 于彬 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 位置 對(duì)準(zhǔn) 方法 電子設(shè)備 傳輸 系統(tǒng) | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N晶圓位置預(yù)對(duì)準(zhǔn)方法、電子設(shè)備及晶圓傳輸系統(tǒng),該方法包括:獲取待對(duì)準(zhǔn)晶圓第一標(biāo)記的第一目標(biāo)圖像,確定第一標(biāo)記的當(dāng)前位置;基于第一標(biāo)記的當(dāng)前位置以及第一標(biāo)記與第二標(biāo)記的位置關(guān)系,確定第二標(biāo)記的預(yù)期當(dāng)前位置;基于第二標(biāo)記的預(yù)期當(dāng)前位置控制晶圓承載平臺(tái)移動(dòng),獲取待對(duì)準(zhǔn)晶圓第二標(biāo)記的第二目標(biāo)圖像,確定第二標(biāo)記的當(dāng)前位置;基于第一標(biāo)記的當(dāng)前位置以及第二標(biāo)記的當(dāng)前位置,確定待對(duì)準(zhǔn)晶圓的形心位置以及晶圓形心偏移量;按照晶圓形心偏移量控制晶圓承載平臺(tái)移動(dòng),將待對(duì)準(zhǔn)晶圓的形心位置移動(dòng)至目標(biāo)位置處。通過(guò)采用上述晶圓位置預(yù)對(duì)準(zhǔn)方法、電子設(shè)備及晶圓傳輸系統(tǒng),解決了現(xiàn)有晶圓位置預(yù)對(duì)準(zhǔn)過(guò)程較為復(fù)雜的問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種晶圓位置預(yù)對(duì)準(zhǔn)方法、電子設(shè)備及晶圓傳輸系統(tǒng)。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,晶圓加工處理的過(guò)程越來(lái)越復(fù)雜,對(duì)于晶圓加工處理過(guò)程中晶圓的傳輸精度的要求也越來(lái)越高,晶圓的傳輸是通過(guò)晶圓傳輸系統(tǒng)來(lái)完成的,在傳輸完成前需要對(duì)晶圓進(jìn)行預(yù)對(duì)準(zhǔn),以使其對(duì)準(zhǔn)后的位置符合精度要求。
目前,晶圓預(yù)對(duì)準(zhǔn)的方案為:將晶圓放置在晶圓傳輸系統(tǒng)的預(yù)對(duì)準(zhǔn)臺(tái)上,利用線陣相機(jī)和面陣相機(jī)對(duì)晶圓進(jìn)行定位及位置對(duì)準(zhǔn),該方案不但需要設(shè)置機(jī)械、電器機(jī)構(gòu)較為復(fù)雜的預(yù)對(duì)準(zhǔn)臺(tái),而且還要利用線陣相機(jī)和面陣相機(jī)對(duì)晶圓進(jìn)行定位及對(duì)準(zhǔn),導(dǎo)致了晶圓預(yù)對(duì)準(zhǔn)過(guò)程復(fù)雜,以及整個(gè)晶圓傳輸系統(tǒng)占用空間較大的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本申請(qǐng)的目的在于提供一種晶圓位置預(yù)對(duì)準(zhǔn)方法、電子設(shè)備及晶圓傳輸系統(tǒng),解決了晶圓預(yù)對(duì)準(zhǔn)過(guò)程較為復(fù)雜的問(wèn)題。
第一方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種晶圓位置預(yù)對(duì)準(zhǔn)方法,應(yīng)用于晶圓傳輸系統(tǒng),晶圓傳輸系統(tǒng)包括晶圓承載平臺(tái),所述晶圓承載平臺(tái)上放置有待對(duì)準(zhǔn)晶圓,所述待對(duì)準(zhǔn)晶圓表面設(shè)置有第一標(biāo)記以及第二標(biāo)記,方法包括:
獲取待對(duì)準(zhǔn)晶圓第一標(biāo)記的第一目標(biāo)圖像,確定第一標(biāo)記的當(dāng)前位置;
基于第一標(biāo)記的當(dāng)前位置以及第一標(biāo)記與第二標(biāo)記的位置關(guān)系,確定第二標(biāo)記的預(yù)期當(dāng)前位置;
基于第二標(biāo)記的預(yù)期當(dāng)前位置控制晶圓承載平臺(tái)移動(dòng),獲取待對(duì)準(zhǔn)晶圓第二標(biāo)記的第二目標(biāo)圖像,確定第二標(biāo)記的當(dāng)前位置;
基于第一標(biāo)記的當(dāng)前位置以及第二標(biāo)記的當(dāng)前位置,利用第一標(biāo)記、第二標(biāo)記、待對(duì)準(zhǔn)晶圓的形心位置三者之間的位置關(guān)系,確定待對(duì)準(zhǔn)晶圓的形心位置以及晶圓形心偏移量,晶圓形心偏移量是待對(duì)準(zhǔn)晶圓的形心位置與目標(biāo)位置之間的偏移量;
按照晶圓形心偏移量控制晶圓承載平臺(tái)移動(dòng),將待對(duì)準(zhǔn)晶圓的形心位置移動(dòng)至目標(biāo)位置處。
可選地,晶圓傳輸系統(tǒng)還包括攝像設(shè)備;獲取待對(duì)準(zhǔn)晶圓第一標(biāo)記的第一目標(biāo)圖像,確定第一標(biāo)記的當(dāng)前位置,包括:獲取待對(duì)準(zhǔn)晶圓的尺寸信息;基于待對(duì)準(zhǔn)晶圓的尺寸信息,確定待對(duì)準(zhǔn)晶圓第一標(biāo)記的基準(zhǔn)位置;確定待對(duì)準(zhǔn)晶圓第一標(biāo)記的基準(zhǔn)位置相對(duì)于攝像設(shè)備位置的偏移量;基于第一標(biāo)記的基準(zhǔn)位置相對(duì)于攝像設(shè)備位置的偏移量控制晶圓承載平臺(tái)移動(dòng),以使待對(duì)準(zhǔn)晶圓第一標(biāo)記的基準(zhǔn)位置處于攝像設(shè)備視野內(nèi);控制攝像設(shè)備針對(duì)待對(duì)準(zhǔn)晶圓第一標(biāo)記進(jìn)行拍照,獲取第一目標(biāo)圖像;利用圖像識(shí)別算法對(duì)第一目標(biāo)圖像進(jìn)行解析,確定第一標(biāo)記的當(dāng)前位置。
可選地,基于第二標(biāo)記的預(yù)期當(dāng)前位置控制晶圓承載平臺(tái)移動(dòng),獲取待對(duì)準(zhǔn)晶圓第二標(biāo)記的第二目標(biāo)圖像,確定第二標(biāo)記的當(dāng)前位置,包括:基于第二標(biāo)記的預(yù)期當(dāng)前位置,確定第二標(biāo)記的預(yù)期當(dāng)前位置與攝像設(shè)備位置之間的偏移量;按照第二標(biāo)記的預(yù)期當(dāng)前位置與攝像設(shè)備位置之間的偏移量控制晶圓承載平臺(tái)移動(dòng),以使待對(duì)準(zhǔn)晶圓第二標(biāo)記的預(yù)期當(dāng)前位置處于攝像設(shè)備視野內(nèi);控制攝像設(shè)備針對(duì)待對(duì)準(zhǔn)晶圓第二標(biāo)記進(jìn)行拍照獲取第二目標(biāo)圖像;利用圖像識(shí)別算法對(duì)第二目標(biāo)圖像進(jìn)行解析,確定第二標(biāo)記的當(dāng)前位置。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京半導(dǎo)體專用設(shè)備研究所(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所),未經(jīng)北京半導(dǎo)體專用設(shè)備研究所(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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