[發(fā)明專利]熔絲型存儲器內(nèi)容的保護

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210265421.1
• 申請日: 2022-03-17
• 公開（公告）號: CN115116533A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設計）人: M·特里莫
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導體（格勒諾布爾2）公司
• 主分類號: G11C29/52
• 分類號: G11C29/52;G11C29/54;G11C29/50;G11C29/02;G06F9/448;G06F1/24
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

本公開的實施例涉及熔絲型存儲器內(nèi)容的保護。本公開涉及一種方法，其中集成電路在允許處理器對熔絲型非易失性存儲器的第一區(qū)域的讀取訪問的第一狀態(tài)(例如，封閉)和禁止處理器對存儲器的讀取訪問的第二狀態(tài)(例如，開封)之間的狀態(tài)由有限狀態(tài)機調(diào)節(jié)為對存儲器的第一熔絲字的值和存儲器的第二熔絲字的值的驗證，所述第一熔絲字表示到第一狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的數(shù)目，所述第二熔絲字表示到第二狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的數(shù)目。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2021年3月18日提交的法國專利申請No.21/02717的優(yōu)先權(quán)，該申請在此通過引入的方式全部并入本文以作為參考。

技術(shù)領域

本公開大體上涉及電子電路，并且在特定實施例中，涉及具有熔絲型非易失性存儲器的集成電路以及測試該集成電路。

背景技術(shù)

集成電路用于具有各種應用的電子器件的設計中。不管是在生產(chǎn)中還是在產(chǎn)品的壽命期間，集成電路都被針對制造缺陷進行測試。通常，測試需要訪問集成電路并且經(jīng)由集成電路的專用端口使用稱為聯(lián)合測試動作組(JTAG)的標準化協(xié)議。

JTAG接口當前用于測試存儲器，特別是非易失性存儲器。其可以在生產(chǎn)和產(chǎn)品壽命期間被使用，特別是在維護操作期間被使用，以標識源自制造的可能缺陷。然后通常將集成電路返回給制造商。

特別地，客戶可能希望將產(chǎn)品退回給制造商以重新測試制造缺陷。客戶未將這些測試作為日常維護操作的一部分而運行。客戶看到問題，懷疑它可能是制造缺陷并且退回產(chǎn)品，以便制造商可以重新運行掃描測試以分析缺陷。

測試過程和對包含在集成電路的存儲器中的信息的訪問能夠在這些存儲器包含假定對制造商隱藏的信息的應用中引起問題。這可能涉及在由電路的最終用戶或由制造商與該用戶之間的中間實體執(zhí)行的定制階段期間被存儲在電路中的認證或密碼密鑰(更一般地，在電路壽命期間使用的密碼，代碼或密鑰)、軟件代碼或?qū)Ｓ袇f(xié)議。這些元素形成對制造商隱藏的信息(秘密)，其通常不應當被通信到集成電路制造商。

在電路的非易失性存儲器是可擦除或可重新編程類型(閃存或EPROM)的情況下，可以在返回用于缺陷分析之前擦除包含“秘密”的存儲器區(qū)域。然而，當非易失性存儲器是熔絲類型時，其編程是不可逆的，因此在執(zhí)行電路組件的操作的測試期間留下經(jīng)由其JTAG接口對電路的訪問是有問題的。

發(fā)明內(nèi)容

需要改進測試具有包含不可逆可編程非易失性存儲器的集成電路的裝置的方法的安全性和效率。本公開的實施例克服了具有集成電路的已知裝置的全部或部分缺點。

一個實施例提供了一種方法，其中通過有限狀態(tài)機對存儲器的表示到第一狀態(tài)的轉(zhuǎn)變數(shù)目的第一熔絲字和存儲器的表示到第二狀態(tài)的轉(zhuǎn)變數(shù)目的第二熔絲字的值的驗證，集成電路的狀態(tài)在允許由處理器對熔絲型非易失性存儲器的第一區(qū)域的讀取訪問的第一狀態(tài)與禁止由處理器對存儲器的讀取訪問的第二狀態(tài)之間被調(diào)節(jié)。

一個實施例提供了一種集成電路，該集成電路包括有限狀態(tài)機，該有限狀態(tài)機在第一狀態(tài)與第二狀態(tài)之間調(diào)節(jié)集成電路的狀態(tài)，以驗證存儲器的第一熔絲字(表示到第一狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的數(shù)目)和存儲器的第二熔絲字(表示到第二狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的數(shù)目)的值，第一狀態(tài)允許由處理器對熔絲型非易失性存儲器的第一區(qū)域的讀取訪問，第二狀態(tài)禁止由處理器對存儲器的讀取訪問。

根據(jù)一個實施例，驗證由比較第一和第二字的相應值以及檢查第一字的最大有效位的值組成。

根據(jù)一個實施例，如果第二字的值低于第一字的值、或者如果第一字的最大有效位被熔斷(blown)，則電路處于第一狀態(tài)。

根據(jù)實施例，在集成電路的每次復位時執(zhí)行驗證。

根據(jù)實施例，在第一狀態(tài)中，禁止集成電路的掃描測試。

根據(jù)實施例，在第二狀態(tài)中，除了熔絲型非易失性存儲器之外，針對集成電路啟用掃描測試。