[發明專利]一種銥配合物衍生物、制備方法及其應用

有效

• 申請號: 202210263819.1
• 申請日: 2022-03-17
• 公開（公告）號: CN114573641B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發明（設計）人: 趙建章;溫宇東;霍延平;籍少敏
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: C07F15/00
• 分類號: C07F15/00;G03F7/004;G03F7/027
• 代理公司: 大連理工大學專利中心 21200
• 代理人: 溫福雪

本發明涉及光刻膠技術領域，涉及一種銥配合物衍生物、制備方法及其應用。本發明借助香豆素衍生物高摩爾吸收系數的性質，引入金屬重原子銥原子加強其分子內的系間竄越，通過激發三重態，進而引發與共引發劑有效的發生電子轉移，改變了光刻膠的敏感波長，并提高了光酸的產率，改善光刻膠組合物中的光敏性，進一步增強光刻膠的靈敏度、單體的交聯能力、光刻膠的線寬粗糙度、分辨率、成膜能力。

技術領域

本發明涉及光刻膠技術領域，更具體地，涉及一種銥配合物衍生物、制備方法及其應用。

背景技術

光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、準分子激光、電子束、離子束、X射線等光源的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料。主要用于集成電路和半導體分立器件的微細加工，同時在平板顯示、LED、倒扣封裝磁頭及精密傳感器等制作過程中也有著廣泛的應用。根據光化學反應機理不同，光刻膠分為正性光刻膠與負性光刻膠：曝光后，光刻膠在顯影液中溶解性增加，得到與掩模版相同圖形的稱為正性光刻膠；曝光后，光刻膠在顯影液中溶解性降低甚至不溶，得到與掩模版相反圖形的稱為負性光刻膠。而光刻膠的三個重要參數包括分辨率、靈敏度和線寬粗糙度，這些參數決定了光刻膠在芯片制造時的工藝窗口。

在光刻膠組合物中，較弱的靈敏度會致使單體無法得到充分的交聯，需要加入光敏劑進一步調節其靈敏度。但過量的光敏劑會出現曝光過度現象，為此加入適當比例的光敏劑尤為重要。隨著光刻技術的發展，光刻圖案的尺寸要求越來越小，對光刻圖案的分辨率和邊緣粗糙度的要求也越來越高，因此，開發新的光敏體系改善光致抗蝕劑性能是很有必要的。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供了一種銥配合物衍生物、制備方法及其在光刻膠中的應用，借助香豆素衍生物高摩爾吸收系數的性質，引入金屬重原子銥原子加強其分子內的系間竄越，通過激發三重態，進而引發與共引發劑有效的發生電子轉移，改變了光刻膠的敏感波長，并提高了光酸的產率，改善光刻膠組合物中的光敏性，進一步增強光刻膠的靈敏度、單體的交聯能力、光刻膠的線寬粗糙度、分辨率、成膜能力等。

為達此目的，通過以下技術方案實現：

一種銥配合物衍生物，其結構為下式中的一種：

其中：

R₁和R₂選自氫原子、C₁～C₂₀的烷基、C₃～C₂₀的環烷基或具有碳碳不飽和雙鍵的一價有機基團，R₁和R₂相同或不同；R₃、R₄、R₅和R₆選自氫原子、甲氧基、苯氧基、硝基、氰基、三氟甲基、羧基、巰基、鹵素原子或烷基，R₃、R₄、R₅和R₆相同或不同；R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂選自碳原子或氮原子，R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂相同或不同。

所述的烷基可以是甲基、乙基或丙基，也可以是取代的甲基、乙基或丙基；C₁～C₂₀的烷基可以是甲基、乙基、正丙基、異丙基、正戊基、十二烷基、十八烷基或二十烷基；C₃～C₂₀的環烷基可以是環丙基、環戊基、環癸基、環十二烷基或環二十烷基；具有碳碳不飽和雙鍵的一價有機基團，可以是乙烯基中的氫原子被部分取代的情況。

上述的銥配合物衍生物的制備方法，具體如下：