[發明專利]一種碳化硅晶片位錯腐蝕方法及裝置

有效

• 申請號: 202210244788.5
• 申請日: 2022-03-14
• 公開（公告）號: CN114318551B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 李佳君;王蓉;皮孝東;楊德仁
• 申請（專利權）人: 浙江大學杭州國際科創中心
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C30B29/36
• 代理公司: 杭州五洲普華專利代理事務所(特殊普通合伙) 33260
• 代理人: 姚宇吉

1.一種碳化硅晶片位錯腐蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供碳化硅晶片，將所述碳化硅晶片放置到坩堝中，其中，所述坩堝內含有腐蝕劑和碳化硅陪片，所述碳化硅陪片放置在所述腐蝕劑的上方且所述碳化硅晶片放置在所述碳化硅陪片的上方；所述碳化硅陪片包括第一表面和第二表面，所述碳化硅陪片的第一表面面向所述腐蝕劑，所述碳化硅陪片的第二表面面向所述碳化硅晶片的碳面，所述碳化硅陪片的尺寸與坩堝內壁的尺寸相適應且所述碳化硅陪片的側邊與所述坩堝的內壁之間留有間隙，所述碳化硅晶片的碳面與所述碳化硅陪片的第二表面之間小于或等于預定距離，使得后續得到的腐蝕后的碳化硅晶片的碳面形成可區分的位錯；

基于加熱工藝對所述坩堝進行加熱，加熱形成的腐蝕劑蒸汽對所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片進行腐蝕，得到腐蝕后的碳化硅晶片。

2.根據權利要求1所述的碳化硅晶片位錯腐蝕方法，其特征在于，所述碳化硅晶片的碳面與所述碳化硅陪片的第二表面之間小于或等于預定距離包括: 所述碳化硅晶片的碳面與所述碳化硅陪片的第二表面相接觸。

3.根據權利要求1所述的碳化硅晶片位錯腐蝕方法，其特征在于，所述腐蝕劑為氫氧化鉀固體或者氫氧化鈉固體，所述腐蝕劑蒸汽為對應的氫氧化鉀蒸汽或氫氧化鈉蒸汽。

4.根據權利要求1所述的碳化硅晶片位錯腐蝕方法，其特征在于，所述預定距離為0.5mm，所述間隙的距離范圍為0.5mm~5 mm。

5.根據權利要求1所述的碳化硅晶片位錯腐蝕方法，其特征在于，所述坩堝內還設有支架；所述支架用于固定所述碳化硅陪片。

6.根據權利要求5所述的碳化硅晶片位錯腐蝕方法，其特征在于，所述坩堝為帶蓋的鎳坩堝，所述支架為鎳網支架。

7.一種碳化硅晶片位錯腐蝕裝置，其特征在于，包括坩堝，所述坩堝用于放置腐蝕劑、碳化硅晶片和碳化硅陪片，所述碳化硅陪片放置在所述腐蝕劑的上方且所述碳化硅晶片放置在所述碳化硅陪片的上方；所述碳化硅陪片包括第一表面和第二表面，所述碳化硅陪片的第一表面面向所述腐蝕劑，所述碳化硅陪片的第二表面面向所述碳化硅晶片的碳面，所述碳化硅陪片的尺寸與坩堝內壁的尺寸相適應且所述碳化硅陪片的側邊與所述坩堝的內壁之間留有間隙，所述碳化硅晶片的碳面與所述碳化硅陪片的第二表面之間小于或等于預定距離，使得后續得到的腐蝕后的碳化硅晶片的碳面形成可區分的位錯；基于加熱工藝對所述坩堝進行加熱，加熱形成腐蝕劑蒸汽對所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片進行腐蝕，得到腐蝕后的碳化硅晶片。

8.根據權利要求7所述的碳化硅晶片位錯腐蝕裝置，其特征在于，所述碳化硅晶片的碳面與所述碳化硅陪片的第二表面之間小于或等于預定距離包括: 所述碳化硅晶片的碳面與所述碳化硅陪片的第二表面相接觸。

9.根據權利要求7所述的碳化硅晶片位錯腐蝕裝置，其特征在于，所述預定距離為0.5mm，所述間隙的距離范圍為0.5mm~5 mm。

10.根據權利要求7所述的碳化硅晶片位錯腐蝕裝置，其特征在于，所述坩堝內還設有支架，所述支架用于固定所述碳化硅陪片。