[發(fā)明專利]一種三維扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210241143.6
• 申請(qǐng)日: 2022-03-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114649292A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴飛虎;王成遷;段鵬超;楊誠(chéng);高艷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫中微高科電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104
• 代理人: 陳麗麗;殷紅梅

1.一種三維扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

無(wú)源載板，所述無(wú)源載板內(nèi)設(shè)置多個(gè)金屬填充盲孔；

所述無(wú)源載板的正面形成有第一再布線金屬層和第一再布線鈍化層，所述第一再布線金屬層和所述第一再布線鈍化層均與所述金屬填充盲孔接觸；

所述第一再布線鈍化層上通過(guò)垂直引線焊盤和垂直引線連接第一芯片塑封結(jié)構(gòu)，所述第一芯片塑封結(jié)構(gòu)上形成有第二再布線金屬層和第二再布線鈍化層，所述第二再布線鈍化層上形成有與所述垂直引線連接的第二芯片塑封結(jié)構(gòu)；

所述無(wú)源載板的背面形成與所述金屬填充盲孔位置對(duì)應(yīng)的背面凹槽，所述無(wú)源載板的背面除去所述背面凹槽的底壁位置處均設(shè)置背面鈍化層，一部分所述背面凹槽內(nèi)形成金屬凸點(diǎn)，另一部分所述背面凹槽連接第三芯片結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一再布線鈍化層間隔布局在所述第一再布線金屬層內(nèi)，所述第一再布線鈍化層的上表面均設(shè)置所述垂直引線焊盤。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的三維扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片塑封結(jié)構(gòu)包括第一芯片和第一塑封層，所述第一芯片倒裝在位于中間區(qū)域的所述垂直引線焊盤上，所述第一塑封層位于邊緣區(qū)域的所述垂直引線焊盤上，且包圍所述第一芯片的側(cè)壁，位于邊緣區(qū)域的所述垂直引線焊盤上設(shè)置所述垂直引線，且所述垂直引線被所述第一塑封層包封。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二再布線金屬層覆蓋在所述第一芯片和所述第一塑封層的上表面，所述第二再布線鈍化層間隔設(shè)置在所述第一塑封層的上表面，且均與所述垂直引線連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二芯片塑封結(jié)構(gòu)包括第二芯片和第二塑封層，所述第二芯片倒裝在所述第一塑封層的上方，且所述第二芯片的凸點(diǎn)與所述第二再布線鈍化層連接，所述第二塑封層位于覆蓋在所述第二再布線金屬層上，且包圍所述第一塑封層的側(cè)壁以及所述第二芯片設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二芯片與所述第二再布線金屬層之間設(shè)置有第二填充層。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片與所述第一再布線金屬層之間設(shè)置有第一填充層。

8.一種三維扇出型封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，用于制作權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的三維扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述制作方法包括：

提供無(wú)源載板，所述無(wú)源載板內(nèi)設(shè)置多個(gè)金屬填充盲孔；

在所述無(wú)源載板的正面進(jìn)行n層再布線，得到第一再布線金屬層和第一再布線鈍化層，其中所述第一再布線金屬層和所述第一再布線鈍化層均與所述金屬填充盲孔接觸；

在所述第一再布線鈍化層上制作垂直引線焊盤；

將第一芯片倒裝在位于中間區(qū)域的所述垂直引線焊盤上；

在位于邊緣區(qū)域的所述垂直引線焊盤上制作垂直引線；

制作第一塑封層，將所述垂直引線和所述第一芯片進(jìn)行包封；

在所述第一塑封層上進(jìn)行n層再布線，得到第二再布線金屬層和第二再布線鈍化層，其中所述第二再布線鈍化層位于所述垂直引線的正上方，且與所述垂直引線連接；

將第二芯片倒裝在所述第一塑封層的上方，且所述第二芯片的凸點(diǎn)與所述第二再布線鈍化層連接；

在所述第二再布線金屬層上形成第二塑封層，所述第二塑封層包封所述第一塑封層的側(cè)壁以及所述第二芯片；

在所述無(wú)源載板的背面形成與所述金屬填充盲孔位置對(duì)應(yīng)的背面凹槽，且且露出所述金屬填充盲孔中的填充金屬；

在所述無(wú)源載板的背面除去所述背面凹槽的底壁位置處制作背面鈍化層；

在一部分所述背面凹槽內(nèi)形成金屬凸點(diǎn)，在另一部分所述背面凹槽內(nèi)倒裝第三芯片結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，還包括在所述將第一芯片倒裝在位于中間區(qū)域的所述垂直引線焊盤上的步驟后進(jìn)行的：

在所述第一芯片和所述第一再布線金屬層之間通過(guò)填充技術(shù)進(jìn)行空隙填充，形成第一填充層。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，還包括在所述將第二芯片倒裝在所述第一塑封層的上方的步驟后進(jìn)行的：

在所述第二芯片與所述第二再布線金屬層之間通過(guò)填充技術(shù)進(jìn)行空隙填充，形成第二填充層。