[發明專利]一種平板探測器及其制作方法在審
| 申請號: | 202210239229.5 | 申請日: | 2022-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN114628426A | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發明(設計)人: | 張敬書;徐帥;趙斌;杜小倩;陳超;范路遙;吳俊宇;趙鎮乾;張倩敏 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 王迪 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 平板 探測器 及其 制作方法 | ||
1.一種平板探測器,其特征在于,包括:
襯底基板,所述襯底基板被分割為多個檢測區域;
呈陣列排布的多個光電檢測器,所述多個光電檢測器分布在所述多個檢測區域內;
分別與各所述光電檢測器電連接的多條掃描線和多條數據線,所述掃描線和所述數據線在所述多個檢測區域被分割的位置斷開設置;
位于所述掃描線所在層和所述數據線所在層背離所述襯底基板一側的保護層,所述保護層覆蓋所述掃描線、數據線、以及所述掃描線和所述數據線斷開的位置,并在所述掃描線和所述數據線斷開的位置,與所述掃描線和所述數據線同層設置;
對應各所述檢測區域的多個驅動電路,所述驅動電路與對應的檢測區域內的光電檢測器連接的掃描線和數據線電連接。
2.如權利要求1所述的平板探測器,其特征在于,還包括:位于所述掃描線所在層和所述保護層之間的至少一層絕緣層,以及位于所述數據線所在層和所述保護層之間的至少一層絕緣層;
各所述絕緣層具有覆蓋所述掃描線和所述數據線斷開的位置的通孔。
3.如權利要求2所述的平板探測器,其特征在于,沿著所述襯底基板指向所述保護層的方向,各所述絕緣層的通孔逐層縮小。
4.如權利要求2所述的平板探測器,其特征在于,還包括:
薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的柵極與對應的掃描線電連接,所述薄膜晶體管的第一極與對應的數據線電連接,所述薄膜晶體管的第二極與對應的光電檢測器電連接;
所述薄膜晶體管的柵極與所述掃描線同層設置,所述薄膜晶體管的第一極和第二極分別均與所述數據線同層設置。
5.如權利要求4所述的平板探測器,其特征在于,位于所述掃描線所在層和所述保護層之間的至少一層絕緣層具體包括:柵絕緣層、第一絕緣層、第二絕緣層;
位于所述數據線所在層和所述保護層之間的至少一層絕緣層具體包括:所述第一絕緣層和所述第二絕緣層。
6.如權利要求2-5任一項所述的平板探測器,其特征在于,所述掃描線和所述數據線斷開位置的斷口的長度小于所述至少一層絕緣層中最底層絕緣層的通孔的內徑。
7.如權利要求1-5任一項所述的平板探測器,其特征在于,所述掃描線和所述數據線斷開位置的斷口的長度小于一個光電檢測器對應像素的長度。
8.一種平板探測器的制作方法,其特征在于,包括:
提供一襯底基板,所述襯底基板被分割為多個檢測區域;
在所述襯底基板上形成原始掃描線和原始數據線,所述原始掃描線和所述原始數據線分別穿過與其相交的所述多個檢測區域被分割的位置;
在所述襯底基板上形成位于各檢測區域內呈陣列排布的光電檢測器;
將所述原始掃描線和所述原始數據線在所述多個檢測區域被分割的位置斷開,形成與所述多個檢測區域被分割的位置互不交疊的掃描線和數據線;
在所述光電檢測器背離所述襯底基板的一側,形成覆蓋所述掃描線、數據線、以及所述掃描線和所述數據線斷開的位置的保護層;其中,在所述掃描線和所述數據線斷開的位置,與所述掃描線和所述數據線同層設置;
為各所述檢測區域綁定對應的驅動電路,所述驅動電路與對應的檢測區域內的光電檢測器連接的掃描線和數據線電連接。
9.如權利要求8所述的制作方法,其特征在于,在所述襯底基板上形成原始掃描線和原始數據線,具體包括:
在所述襯底基板上形成柵極金屬層,所述柵極金屬層包括所述原始掃描線和薄膜晶體管的柵極;
在所述柵極金屬層上形成柵絕緣層;
在所述柵絕緣層上形成源漏極金屬層,所述源漏極金屬層包括原始數據線和薄膜晶體管的第一極和第二極。
10.如權利要求9所述的制作方法,其特征在于,在所述柵極金屬層上形成柵絕緣層之后,還包括:
在所述原始掃描線和所述多個檢測區域被分割的位置交疊的位置,對所述柵極絕緣層進行蝕刻,形成所述柵絕緣層的盲孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





