[發(fā)明專利]一種芯片封裝方法及芯片封裝組件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210203957.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114664670A | 公開(公告)日: | 2022-06-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓坤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州致微半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/373;H01L23/64 |
| 代理公司: | 深圳漢世知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44578 | 代理人: | 冷仔 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 封裝 方法 組件 | ||
本申請(qǐng)涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種芯片封裝方法及芯片封裝組件。該芯片封裝方法包括:制備封裝樹脂,所述封裝樹脂包括磁性粉體;在基板上固定芯片和被動(dòng)元件,所述被動(dòng)元件包括電感;利用所述封裝樹脂形成位于所述基板上方且包覆所述芯片和所述被動(dòng)元件的封裝層。本申請(qǐng)實(shí)施例可以在不改變?cè)蟹庋b工藝的前提下,大幅度提高電感的磁導(dǎo)率,或者在同樣的規(guī)格下,可以實(shí)現(xiàn)更小尺寸的集成。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種芯片封裝方法及芯片封裝組件。
背景技術(shù)
隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,尤其是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)景中,對(duì)于器件的可靠性,小型化,集成化等都提出了新的需求。
電感作為主要的被動(dòng)元件,在包括移動(dòng)通信設(shè)備等載體上,用量少則幾十顆,多則上百顆。為了實(shí)現(xiàn)載體的小型化,扁平化等需求,對(duì)元器件的尺寸要求越來越高。
然而,相對(duì)于其他被動(dòng)元件,在很多場(chǎng)景中,電感已經(jīng)成為芯片封裝中尺寸最大的被動(dòng)元件。既要提高電感的例如磁導(dǎo)率,高頻等性能,又要盡量縮小芯片封裝的尺寸和體積,這種矛盾日益突出。在目前的各種方案中,已經(jīng)很難有進(jìn)一步改善的空間。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種芯片封裝方法及芯片封裝組件,可以解決相關(guān)技術(shù)中的至少一個(gè)技術(shù)問題。
第一方面,本申請(qǐng)一實(shí)施例提供了一種芯片封裝方法,包括:制備封裝樹脂,所述封裝樹脂包括磁性粉體;在基板上固定芯片和被動(dòng)元件,所述被動(dòng)元件包括電感;利用所述封裝樹脂形成位于所述基板上方且包覆所述芯片和所述被動(dòng)元件的封裝層。
在一些實(shí)施例中,所述制備封裝樹脂,包括:將環(huán)氧樹脂、固化劑、和助劑混合均勻得到混合物;將磁性粉體與所述混合物混合均勻得到所述封裝樹脂。
在一些實(shí)施例中,所述磁性粉體占所述封裝樹脂總量的50%至98%,所述混合物占所述封裝樹脂總量的2%至50%。
優(yōu)選地,所述磁性粉體占所述封裝樹脂總量的60%至97.5%,所述混合物占所述封裝樹脂總量的2.5%至40%。
優(yōu)選地,所述磁性粉體占所述封裝樹脂總量的75%至97.5%,所述混合物占所述封裝樹脂總量的2.5%至25%。
在一些實(shí)施例中,所述磁性粉體包括純鐵粉、羰基鐵粉、合金鐵粉、非晶合金、和四氧化三鐵粉中的至少一種。
在一些實(shí)施例中,所述磁性粉體包括鐵磁性粉體。
在一些實(shí)施例中,所述磁性粉體的粒徑大小范圍為50納米到100微米。
優(yōu)選地,所述磁性粉體的粒徑大小范圍為50nm至50微米。
優(yōu)選地,所述磁性粉體的粒徑大小范圍為100納米到100微米。
優(yōu)選地,所述磁性粉體的粒徑大小范圍為250納米到80微米。
優(yōu)選地,所述磁性粉體的粒徑大小范圍為500納米到50微米。
在一些實(shí)施例中,所述環(huán)氧樹脂包括液體狀環(huán)氧樹脂和固體狀環(huán)氧樹脂中的至少一種。
在一些實(shí)施例中,所述液體狀環(huán)氧樹脂為在分子中具有2個(gè)以上環(huán)氧基的液體狀環(huán)氧樹脂,所述固體狀環(huán)氧樹脂為在分子中具有3個(gè)以上環(huán)氧基的固體狀環(huán)氧樹脂。
在一些實(shí)施例中,所述環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量為50g/eq至5000g/eq。
優(yōu)選地,所述環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量為50g/eq至3000g/eq。
優(yōu)選地,所述環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量為70g/eq至2000g/eq。
優(yōu)選地,所述環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量為70g/eq至1000g/eq。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州致微半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)蘇州致微半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210203957.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





