[發明專利]一種發光二極管外延片及其制備方法在審
| 申請號： | 202210191723.9 | 申請日： | 2022-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN114566576A | 公開（公告）日： | 2022-05-31 |
| 發明（設計）人： | 程龍;曾家明;印從飛;劉春楊;胡加輝 | 申請（專利權）人： | 江西兆馳半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知識產權代理事務所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 劉紅偉 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種發光二極管外延片，其特征在于，所述發光二極管外延片包括：
襯底；
在所述襯底上依次設有緩沖層、非摻雜GaN層、缺陷阻擋層、N型GaN層、發光層、電子阻擋層、P型GaN層及接觸層；
其中，所述缺陷阻擋層依次包括第一缺陷阻擋層、第二缺陷阻擋層及第三缺陷阻擋層，所述第一缺陷阻擋層為AlaGa1-aN薄膜層，所述第二缺陷阻擋層為BN薄膜層，所述第三缺陷阻擋層為AlaGa1-aN薄膜層。
2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述第一缺陷阻擋層與所述第二缺陷阻擋層的Al組分濃度相同，Al組分占比a為0.005-0.1。
3.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述缺陷阻擋層的厚度為10-50nm，第一缺陷阻擋層、第二缺陷阻擋層及第三缺陷阻擋層的厚度比為1：1：1-1：10：1。
4.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述緩沖層為AlN薄膜層，其厚度為10-20nm。
5.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述發光層為多量子阱結構，包括若干個周期的InGaN量子阱層及AlbGa1-bN量子壘層。
6.根據權利要求5所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述InGaN量子阱層的厚度為2-3.5nm，所述AlbGa1-bN量子壘層的厚度為9-12nm，其中，Al組分占比b為0.05-0.2。
7.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述電子阻擋層為AlcIndGa1-c-dN薄膜層，其厚度為10-40nm，其中，Al組分占比c為0.005-0.1，In組分占比d為0.05-0.2。
8.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述接觸層為MgGaN薄膜層，其厚度為5-20nm，所述接觸層的摻雜劑為鎂，摻雜濃度為1E21cm-3-5E21cm-3之間。
9.一種發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長緩沖層及非摻雜GaN層；
在所述非摻雜GaN層外延生長缺陷阻擋層，其中，所述缺陷阻擋層依次包括第一缺陷阻擋層、第二缺陷阻擋層及第三缺陷阻擋層，所述第一缺陷阻擋層為AlaGa1-aN薄膜層，所述第二缺陷阻擋層為BN薄膜層，所述第三缺陷阻擋層為AlaGa1-aN薄膜層；
在所述缺陷阻擋層上依次外延生長N型GaN層、發光層、電子阻擋層、P型GaN層及接觸層。
10.根據權利要求9所述的發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述缺陷阻擋層的生長步驟包括：
將溫度加熱至950-1150℃之間，壓力調節至100-400Torr之間，依次外延生長第一缺陷阻擋層、第二缺陷阻擋層及第三缺陷阻擋層；
其中，所述第一缺陷阻擋層為AlaGa1-aN薄膜層，所述第二缺陷阻擋層為BN薄膜層，所述第三缺陷阻擋層為AlaGa1-aN薄膜層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江西兆馳半導體有限公司，未經江西兆馳半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210191723.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
