[發(fā)明專利]顯示基板、其制作方法及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210190679.X | 申請日: | 2022-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN114566607A | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 霍堡壘;于池;王楊;高飛飛 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務(wù)所 11330 | 代理人: | 張筱寧;王存霞 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 制作方法 顯示裝置 | ||
本申請實施例提供了一種顯示基板、其制作方法及顯示裝置。該顯示基板包括襯底、陽極層和遮擋層。襯底包括位于攝像區(qū)域的刻蝕區(qū)且位于刻蝕區(qū)的襯底的厚度小于位于正常顯示區(qū)域的襯底的厚度;陽極層包括多個陽極單元;遮擋層位于陽極層靠近襯底的一側(cè),包括輪廓部和位于輪廓部內(nèi)的多個遮擋單元;刻蝕區(qū)的邊緣在特定平面的正投影位于輪廓部在特定平面上的正投影內(nèi),每個遮擋單元在特定平面的正投影與位于攝像區(qū)域的一個陽極單元在特定平面的正投影至少部分重合,特定平面與襯底所在平面平行。本實施例提供的顯示基板,遮擋層的輪廓部能夠?qū)す饪涛g的起始位置和結(jié)束位置進(jìn)行保護(hù)以防止過刻蝕,能夠保證刻蝕區(qū)的大部分區(qū)域能夠得到充分刻蝕。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,本申請涉及一種顯示基板、其制作方法及顯示裝置。
背景技術(shù)
屏下攝像頭技術(shù)(Full Display With Camera,F(xiàn)DC)是實現(xiàn)全面屏的關(guān)鍵,對于OLED全面屏來說,顯示屏的透過率對于攝像效果來說至關(guān)重要。但為了保證密封效果,OLED顯示屏通常采用雙層聚酰亞胺(Polyimide,PI)膜層作為襯底,這會大幅降低顯示屏的透過率,因此需要對攝像區(qū)域的PI膜層進(jìn)行圖形化處理。
現(xiàn)有技術(shù)中通常采用激光刻蝕來實現(xiàn)圖形化處理,激光刻蝕在具體操作的過程中容易出現(xiàn)刻蝕不均的問題,例如刻蝕的起始位置和結(jié)束位置的刻蝕深度大于其余刻蝕位置的刻蝕深度,因此容易出現(xiàn)刻蝕不足而對透過率產(chǎn)生影響,或者出現(xiàn)過刻蝕而引起水氧侵入的風(fēng)險。并且由于雙層PI膜層之間存在的壓敏膠(Pressure Sensitive Adhesive,PSA)容易在激光刻蝕過程中碳化,也會影響透過率。
發(fā)明內(nèi)容
本申請針對現(xiàn)有方式的缺點,提出一種顯示基板、其制作方法及顯示裝置,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中因激光刻蝕對PI膜層的刻蝕所引起的問題。
第一個方面,本申請實施例提供了一種顯示基板,包括攝像區(qū)域和正常顯示區(qū)域,所述顯示基板包括:
襯底,包括刻蝕區(qū),所述刻蝕區(qū)位于所述攝像區(qū)域,位于所述刻蝕區(qū)的所述襯底的厚度小于位于所述正常顯示區(qū)域的所述襯底的厚度;
陽極層,位于所述襯底的一側(cè),包括多個陽極單元;
遮擋層,位于所述陽極層靠近所述襯底的一側(cè),包括輪廓部和位于所述輪廓部內(nèi)的多個遮擋單元;
所述刻蝕區(qū)的邊緣在特定平面的正投影位于所述輪廓部在所述特定平面上的正投影內(nèi),每個所述遮擋單元在特定平面的正投影與位于攝像區(qū)域的一個所述陽極單元在特定平面的正投影重合,所述特定平面與所述襯底所在平面平行。
可選地,所述的顯示基板還包括:
陰極層,位于所述陽極層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),且位于所述攝像區(qū)域的陰極層包括多個陰極單元,每個所述陰極單元在所述特定平面上的正投影與一個所述陽極單元在所述特定平面上的正投影重合;
發(fā)光層,位于所述陽極層和所述陰極層之間;
透明導(dǎo)電層,位于所述陰極層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),至少位于攝像區(qū)域且與所述陰極層接觸。
可選地,所述襯底包括:
第一有機層;
第一無機層,位于所述第一有機層靠近所述陽極層的一側(cè);
第二有機層,位于所述第一無機層靠近所述陽極層的一側(cè);
第二無機層,位于所述第二有機層靠近所述陽極層的一側(cè)。
可選地,所述遮擋層為單層,位于所述攝像區(qū)域的每個所述陽極單元所述特定平面上的正投影位于一個所述遮擋單元在所述特定平面上的正投影內(nèi)。
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