[發明專利]一種SiC納米線增強SiC陶瓷基復合材料及其制備方法在審
| 申請號: | 202210189502.8 | 申請日: | 2022-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN114573357A | 公開(公告)日: | 2022-06-03 |
| 發明(設計)人: | 楊麗霞;丁揚;陳照峰 | 申請(專利權)人: | 南京航空航天大學 |
| 主分類號: | C04B35/80 | 分類號: | C04B35/80;C04B35/571;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/63;C04B35/64 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210016 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 sic 納米 增強 陶瓷 復合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種SiC納米線氣凝膠增強SiC陶瓷基復合材料,其特征在于包括SiC納米線氣凝膠、熱解碳界面層與SiC基體;其特征在于采用化學氣相沉積法制備SiC納米線,采用纖維凍結成型方法將SiC納米線自組裝成層狀結構、纖維緊密交聯纏繞的SiC納米線氣凝膠,再通過化學氣相滲透在SiC納米線表面沉積熱解碳界面涂層,最后采用真空壓力輔助先驅體浸漬熱解法,在SiC氣凝膠中原位復合SiC基體,所述的SiC納米線,長度為20nm~2cm,直徑為10~100nm;所述的SiC納米線氣凝膠孔隙率75~96%,熱解碳界面層厚度為10~500nm,SiC納米線體積分數3~20%。
2.一種SiC納米線氣凝膠增強SiC陶瓷基復合材料的制備方法,包括以下順序步驟:
(1)將聚碳硅烷、二茂鐵、活性炭混合,再球磨得到均勻的粉末先驅體,然后將粉末先驅體倒入石墨坩堝,放入高溫燒結爐,升溫到1200~1700℃生長SiC納米線;
(2)將步驟(1)中的SiC納米線加入到去離子水中,經超聲形成均勻的分散液,將分散液加熱,并在攪拌中加入聚乙烯醇溶液,將該溶液冷卻至室溫并加入肌醇六磷酸,得到膠體溶液,其中分散液、聚乙烯醇、肌醇六磷酸的體積比為100∶10~25∶0.5~2;
(3)將步驟(2)中的膠體溶液倒入模具中,進行液氮浴冷凍,然后冷凍干燥,即可得到SiC納米線氣凝膠,冷凍干燥溫度為-80~-20℃、冷凍干燥時間為2~10天;
(4)將步驟(3)中的SiC納米線氣凝膠在丙烯為碳源、氬氣氣氛下進行化學氣相滲透過程,此過程可在SiC納米線表面沉積熱解碳界面涂層,化學氣相滲透溫度為600~1200℃,壓力為1~10kPa,丙烯和氬氣的比例為1~6∶1;
(5)以聚碳硅烷為先驅體溶液,采用真空壓力輔助先驅體浸漬熱解法在步驟(4)中制備的SiC納米線氣凝膠內部原位生成SiC基體,固化溫度為80~300℃,固化時間為6~20h,熱解溫度800~1400℃,熱解時間1~6h,真空浸漬的真空度為0.05~0.1MPa,真空浸漬時間5h,壓力浸漬壓力1~3MPa,壓力浸漬時間1~6h,循環浸漬-固化-裂解工藝直至浸漬干燥后復合材料增重≤1%,將基體致密的復合材料坯體在高溫爐中燒結,燒結溫度為900~1300℃,保溫時間為1~5h,獲得SiC納米線增強SiC陶瓷基復合材料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南京航空航天大學,未經南京航空航天大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210189502.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種胰島素注射手環
- 下一篇:一種音頻的處理方法、裝置以及存儲介質





